該器件支持旁路模式，允許 VSYS = VIN（無需調(diào)節(jié)）并實(shí)現(xiàn)出色效率。在該運(yùn)行模式下，降壓和升壓高側(cè) FET（Q1 和 Q4）均導(dǎo)通，而降壓和升壓低側(cè) FET（Q2 和 Q3）保持關(guān)斷。輸入功率直接通過功率級傳遞到輸出。MOSFET 的開關(guān)損耗和電感器磁芯損耗被消除，從而提供出色效率。通過將 EN_BYPASS 寄存器位設(shè)置為 1 啟用旁路模式。旁路模式需要 R_{AC_SNS} 電阻器來檢測過流和輕負(fù)載條件。

將 USB-PD 可編程電源 (PPS) 用作輸入適配器時(shí)，可以利用旁路模式在電池快速充電周期中實(shí)現(xiàn)閃充。通過啟用閃充，可以使用更大的充電電流進(jìn)一步提高充電效率。在預(yù)充電和恒壓 (CV) 充電階段，充電器可以返回降壓/升壓模式。

當(dāng)器件處于旁路模式時(shí)，流過 R_{AC_SNS} 的電流受到監(jiān)測并與 IINDPM 寄存器設(shè)置進(jìn)行比較。如果輸入電流超過 I_{BYP_OCP}（比 IINDPM 設(shè)置高 15%）且持續(xù)時(shí)間達(dá)到 t_{BYP_OCP}，則器件自動退出旁路模式并返回到 PWM 調(diào)節(jié)模式（開關(guān)功率級已啟用）。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位設(shè)置，并且 INT 脈沖被置為有效以向主機(jī)表明 BYPASS_MASK 是否被清除。

當(dāng) VSYS 電壓處于 VIN 電壓的 0.5V 以內(nèi)時(shí)，方可進(jìn)入旁路模式，以避免浪涌電流誤觸發(fā)旁路電路的過流保護(hù)。典型用例是先更改 VSYSMIN 設(shè)置以實(shí)現(xiàn) VSYS 約等于 VIN 條件，然后設(shè)置 EN_BYPASS = 1。

如果電池充電啟用，當(dāng)器件處于旁路模式時(shí)，BATFET 在線性穩(wěn)壓模式下運(yùn)行以控制進(jìn)入電池的充電電流。若要使 Q1 和 Q4 保持持續(xù)導(dǎo)通，SRN/SRP 的電壓必須與 VIN/VSYS 的電壓相差在大約 2V 以內(nèi)。如果 VSYS-VBAT > 2V，則會進(jìn)行自舉刷新。

圖 6-8 內(nèi)部旁路模式

除了內(nèi)部旁路模式，該器件還提供外部旁路模式，可實(shí)現(xiàn)最高效率且電流高達(dá) 5A。在這種情況下，BYPDRV 引腳驅(qū)動外部背對背 MOSFET，以便將 VIN 直接連接到 SYS。可以通過設(shè)置 EN_EXT_BYPASS = 1 以及 EN_BYPASS = 1 來啟用外部旁路模式。如果在 EN_BYPASS = 0 時(shí) EN_EXT_BYPASS = 1，則不會進(jìn)入旁路模式。EN_BYPASS 位決定是否啟用旁路模式。如果 EN_BYPASS = 1，則 EN_EXT_BYPASS 決定是否啟用外部旁路。在器件通過 EN_BYPASS 進(jìn)入旁路模式之前或之后設(shè)置 EN_EXT_BYPASS。

當(dāng)器件處于外部旁路模式時(shí)，流經(jīng) R_{AC_SNS} 的電流受到監(jiān)測。如果 R_{AC_SNS} 電流超過 I_{EXTBYP_OCP} 且持續(xù)時(shí)間達(dá)到 t_{BYP_OCP}，器件自動退出外部旁路模式并返回到 PWM 調(diào)節(jié)模式（開關(guān)功率級已啟用）。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位設(shè)置，并且 INT 脈沖被置為有效以向主機(jī)表明 BYPASS_MASK 是否被清除。請注意 EN_EXT_BYPASS 位不變。

充電器處于旁路模式時(shí)為防止在移除輸入源后發(fā)生反向升壓，提供了輕負(fù)載旁路自動退出功能。充電器進(jìn)行監(jiān)測直到輸入電流降至 I_{BYP_LL} 以下，此時(shí)充電器會自動退出旁路模式并返回 PWM 調(diào)節(jié)模式。在內(nèi)部和外部旁路模式下，該保護(hù)功能均處于活動狀態(tài)活。通過設(shè)置 EN_BYPASS_LL_EXIT = 0 禁用該保護(hù)功能。EN_BYPASS 位清零，BYPASS_FLAG 位設(shè)置，并且 INT 脈沖被置為有效以向主機(jī)表明 BYPASS_MASK 是否被清除。

圖 6-9 外部旁路模式