ZHCSNR9 November 2021 BQ25173
PRODUCTION DATA
圖 5-1 DSG (WSON) 封裝 8 引腳 頂視圖| 引腳 | I/O(1) | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱(chēng) | 編號(hào) | ||
IN | 1 | P | 輸入電源。連接到外部直流電源。在靠近 IC 的位置使用至少 1μF 的電容器將 IN 旁路至 GND。 |
ISET | 2 | I | 對(duì)器件快速充電電流 ICHG 進(jìn)行編程。ISET 與 GND 之間的外部電阻定義了快速充電電流值。預(yù)期范圍為 30kΩ (10mA) 至 375Ω (800mA)。ICHG = KISET / RISET。 |
| CE | 3 | I | 低電平有效充電使能引腳。當(dāng) CE 引腳為低電平時(shí),充電啟用。當(dāng) CE 引腳為高電平時(shí),IC 保持在關(guān)斷模式并且充電被禁用。如果此引腳懸空,則默認(rèn)情況下,內(nèi)部下拉電阻 (RPD_CE) 將使能 IC。 |
| GND | 4 | - | 接地引腳。 |
| STAT | 5 | O | 開(kāi)漏充電器狀態(tài)指示輸出。通過(guò) 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。低電平表示 VOUT 已達(dá)到可編程穩(wěn)壓電壓 VREG 的 98%。高電平表示正在充電。 |
| PG | 6 | O | 開(kāi)漏充電器電源正常狀態(tài)輸出。通過(guò) 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。當(dāng) VIN > VIN_LOWV 且 VOUT + VSLEEPZ < VIN < VIN_OV 時(shí),PG 變?yōu)榈碗娖健?/td> |
| FB | 7 | I | 對(duì)超級(jí)電容器穩(wěn)壓電壓 VREG 進(jìn)行編程。在 VOUT 至 GND 之間使用不超過(guò) 1MΩ 的反饋分壓器來(lái)設(shè)置穩(wěn)壓電壓。電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)的底部可以連接到 PG,以便在移除輸入時(shí)降低功耗(對(duì)于 VREG ≤ 5V)。 |
| OUT | 8 | P | 超級(jí)電容器連接。系統(tǒng)負(fù)載可以與超級(jí)電容器并聯(lián)。在靠近 IC 的位置使用至少 1μF 的電容器將 OUT 旁路至 GND。 |
| 散熱焊盤(pán) | — | P | IC 下方的外露焊盤(pán)用于散熱。將散熱焊盤(pán)焊接到電路板上并使用通孔連接到實(shí)心 GND 平面。 |