ZHDS014 December 2025 UCC23711
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
該器件具有 ±5A 的峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,適合大功率應(yīng)用。高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可以直接驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 模塊、IGBT 模塊或并聯(lián)分立式器件,而無(wú)需額外的緩沖級(jí)。該器件還可用于驅(qū)動(dòng)功率更高的模塊或者具有額外緩沖級(jí)的并聯(lián)模塊。無(wú)論 VDD 的值如何,峰值灌電流和拉電流都可以保持在 5A。該驅(qū)動(dòng)器具有一項(xiàng)重要的安全功能,借助該功能,當(dāng)輸入引腳處于懸空狀態(tài)時(shí),OUT 保持在低電平狀態(tài)。該驅(qū)動(dòng)器如圖 6-3 所示,通過(guò)使用固有自舉柵極驅(qū)動(dòng)實(shí)施 NMOS 上拉,實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出。在直流條件下,PMOS 用于保持 OUT 與 VDD 的連接,如圖中所示。NMOS 具有低上拉阻抗,從而在導(dǎo)通瞬變期間可產(chǎn)生強(qiáng)驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,從而縮短功率半導(dǎo)體的輸入電容的充電時(shí)間。有關(guān)輸入到輸出時(shí)序圖,請(qǐng)參閱圖 6-4。