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ZHDS014 December 2025 UCC23711

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DW|16

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

zhds014_oa

7.2.2.2 柵極驅(qū)動器輸出電阻器

外部柵極驅(qū)動器電阻器 R_G(ON) 和 R_G(OFF) 用于：

限制寄生電感和電容引起的振鈴。
限制高電壓/電流開關(guān) dv/dt，di/dt 和體二極管反向恢復(fù)引起的振鈴
微調(diào)柵極驅(qū)動強(qiáng)度，即峰值灌電流和拉電流，以優(yōu)化開關(guān)損耗
降低電磁干擾 (EMI)

輸出級具有上拉電阻，峰值拉電流為 5A。使用方程式 1 來估算峰值源電流作為示例。

方程式 1.

I_{O H} = m i n ? [5 A, \frac{V_{D D} - V_{G D F}}{{(R}_{O H} + R_{G O N} + R_{{G F E T}_{I N T}})}

其中

R_GON 是外部導(dǎo)通電阻。
R_{GFET_Int} 是功率晶體管內(nèi)部柵極電阻（見于功率晶體管數(shù)據(jù)表）。在本示例中假設(shè)為 0Ω
I_OH 是峰值拉電流，它是 5A、柵極驅(qū)動器峰值拉電流和根據(jù)柵極驅(qū)動回路電阻計算所得值中的最小值。
V_GDF 是與 R_GON 和 R_GOFF 串聯(lián)的每個二極管的正向壓降。該示例的二極管壓降為 0.7V。

在本示例中，峰值拉電流約為1.15A，具體計算如方程式 2 所示。

方程式 2.

I_{O H} = \min ? [5 A, \frac{15}{2.5 Ω + 10 Ω + 0 Ω}] = 1.2 A

類似地，可以使用方程式 3來計算峰值灌電流。

方程式 3.

I_{O L} = \min ? [5 A, \frac{V_{D D} - V_{G D F}}{R_{O L} + R_{G O N} | | R_{G O F F} + R_{{G F E T}_{I N T}}}]

其中

R_GOFF 是外部關(guān)斷電阻。
I_OL 是峰值灌電流，它是 5A、柵極驅(qū)動器峰值灌電流和根據(jù)柵極驅(qū)動回路電阻計算所得值中的最小值。

在本示例中，峰值灌電流是 5A 和方程式 4 中的最小值。

方程式 4.

I_{O L} = \min ? [5 A, \frac{15 - 0.7}{0.7 Ω + 10 Ω | | 10 Ω + 0 Ω}] = 2.51 A

圖 7-1 中所示與 R_GOFF 串聯(lián)的二極管確保柵極驅(qū)動電流在導(dǎo)通和關(guān)斷期間分別流經(jīng)預(yù)期路徑。請注意，二極管正向壓降會降低電源開關(guān)柵極上的電壓電平。要實現(xiàn)軌到軌柵極電壓電平，請在 V_OUT 引腳與電源開關(guān)柵極之間添加一個電阻器，其電阻值約為 R_GOFF 的 20 倍。對于本節(jié)中所述的示例，100Ω 至 200Ω 是不錯的選擇。

注：

估算的峰值電流也受到 PCB 布局和負(fù)載電容的影響。柵極驅(qū)動器環(huán)路中的寄生電感可以減慢峰值柵極驅(qū)動電流并導(dǎo)致過沖和下沖。因此，TI 強(qiáng)烈建議盡可能地縮小柵極驅(qū)動器環(huán)路。相反，當(dāng)功率晶體管的輸入電容非常?。ㄍǔＰ∮?1nF）時，峰值拉電流和灌電流取決于環(huán)路寄生效應(yīng)，因為上升和下降時間太短，接近于寄生振鈴周期。