器件是一款具有保護(hù)和檢測(cè)功能的先進(jìn)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，專為與碳化硅 (SiC) MOSFET 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 配合使用而設(shè)計(jì)。該器件能夠基于 SiC MOSFET 和 IGBT 支持高達(dá) 1500V 的直流工作電壓，適用于超過 10kW 的應(yīng)用，包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載和非車載電池充電器、光伏逆變器和其他大功率系統(tǒng)。

該器件具有通過磁隔離技術(shù)實(shí)現(xiàn)的電隔離，可在低壓數(shù)字信號(hào)處理器/微控制器 (DSP/MCU) 和高壓側(cè)之間提供可靠且增強(qiáng)的隔離柵。該隔離技術(shù)使該器件能夠支持高達(dá) 1.5kV 峰值的直流工作電壓和高達(dá) 10kV 的峰值浪涌抗擾度。

該器件能夠提供 ±5A 的峰值灌電流和拉電流，使其能夠直接驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 模塊和 IGBT 模塊，而無需額外的緩沖級(jí)。此外，該器件還可用于通過添加外部緩沖級(jí)來驅(qū)動(dòng)功率更大的模塊或并聯(lián)模塊。

該器件的輸入側(cè)與輸出側(cè)相隔離，具有基于磁隔離技術(shù)的增強(qiáng)型隔離柵。該器件強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)速度，并降低開關(guān)損耗，而其 300V/ns 的最小共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 可確保系統(tǒng)的可靠性，即使在高開關(guān)速度下也是如此。該器件具有較小的傳播延遲和器件間偏移，能夠盡可能地減小死區(qū)時(shí)間設(shè)置，從而減少導(dǎo)通損耗。

該器件包括廣泛的保護(hù)和監(jiān)控功能，旨在提高基于 SiC MOSFET 和 IGBT 的系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)健性。這些特性包括適用于柵極電壓 ≥15V 的開關(guān)的輸出側(cè)電源欠壓鎖定 (UVLO)，以及有源米勒鉗位功能（可防止在快速開關(guān)期間由米勒電容造成假接通）。

該器件還具有最先進(jìn)的去飽和 (DESAT) 檢測(cè)功能，檢測(cè)時(shí)間短，并具有向低壓側(cè) DSP/MCU 報(bào)告故障的功能。發(fā)生 DESAT 故障時(shí)，器件會(huì)觸發(fā)軟關(guān)斷，從而更大限度地減少短路能量并降低開關(guān)上的過沖電壓。這些先進(jìn)的保護(hù)和監(jiān)控功能可確?；?SiC MOSFET 和 IGBT 的系統(tǒng)可靠運(yùn)行，同時(shí)更大限度地降低損壞或故障的風(fēng)險(xiǎn)。