ZHCSMS6B November 2020 – September 2021 TPS25858-Q1 , TPS25859-Q1
PRODUCTION DATA
TPS2585x-Q1 集成了兩個 USB 限流開關,因此可提供可調(diào)節(jié)的電流限值以防止 USB 端口過熱。TPS2585x-Q1 采用兩級電流限制方案,一個是典型電流限值 IOS_BUS,第二個是次級電流限值 IOS_HI。次級電流限值 IOS_HI 是初級電流限值 IOS_BUS 的 1.6 倍。次級電流限值是抗尖峰脈沖時間 tIOS_HI_DEG 內(nèi)的電流限制閾值,然后 USB 電源開關電流限制閾值會設置回 IOS_BUS??梢酝ㄟ^Equation9 來計算用于調(diào)整典型電流限值的電阻值。

該公式假設采用一個理想的無變化外部調(diào)節(jié)電阻器。若要將電阻容差考慮在內(nèi),首先根據(jù)容差規(guī)格確定最小和最大電阻值,然后在公式中使用這些值。電流限值和調(diào)節(jié)電阻器之間存在反比關系,因此使用 IOS(min) 公式中的最大電阻值和 IOS(max) 公式中的最小電阻值。表 10-3 列出了典型的 RILIM 電阻值。
| RILIM (KΩ) | IOS_BUS – 電流限制閾值 (mA) |
|---|---|
| 19.1 | 1690 |
| 15.4 | 2096 |
| 11.5 | 2806 |
| 9.53 | 3386 |
| 短接至 GND | 3550 |
對于常規(guī)應用,它可以將 ILIM 引腳直接短接至 GND,從而設置默認的 3.55A 電流限值,每個 USB 端口上的最大變化為 ±15%,從而遵循 Type-C 規(guī)范。TPS2585x-Q1 提供內(nèi)置軟啟動電路,可控制輸出電壓的上升壓擺率,以限制浪涌電流和電壓浪涌。
次級電流限值 IOS_HI 允許 USB 端口在瞬態(tài)過載情況下短時間拉出較大的電流,從而為 USB 端口特殊過載測試(如 MFi OCP)帶來好處。在常規(guī)應用中,一旦器件上電且 USB 端口未處于 UVLO 狀態(tài),USB 端口電流限制閾值就會被次級電流限值 IOS_HI 覆蓋,因此 USB 端口可以輸出高達 1.6 × IOS_BUS 的電流,該電流通常持續(xù) 2ms。在經(jīng)過抗尖峰脈沖時間 tIOS_HI_DEG 之后,會通過 IOS_BUS 將電流限制閾值設置回典型電流。次級電流限制閾值在經(jīng)過 tIOS_HI_RST 抗尖峰脈沖時間(通常為 16ms)之后才會恢復。如果浪涌電流高于 IOS_HI 閾值,則電流限值會立即設置回 IOS_BUS,無需等待 tIOS_HI_DEG。
TPS2585x-Q1 通過將輸出電流限制為 IOS_BUS 來響應過流情況,如前面的公式所示。當發(fā)生過載情況時,器件保持恒定的輸出電流,輸出電壓會相應地降低??赡軙l(fā)生三種過載情況:
圖 10-5 BUS 短路的響應時間
圖 10-6 總線過流保護
圖 10-7 總線過流保護:兩級電流限制如果一種過載情況的時間足夠長到啟用上述任一情況中的熱限制,則 TPS2585x-Q1 會進行熱循環(huán)。熱限制會關閉內(nèi)部 NFET,并在 NFET 結(jié)溫超過 160°C(典型值)時啟動。器件保持關閉狀態(tài),直到 NFET 結(jié)溫冷卻 10°C(典型值),然后重新啟動。這種額外的熱保護機制有助于防止結(jié)溫進一步升高,從而避免器件因結(jié)溫超過主熱關斷閾值 TSD 而關閉。