ZHCSMS6B November 2020 – September 2021 TPS25858-Q1 , TPS25859-Q1
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說(shuō)明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
- 9 參數(shù)測(cè)量信息
-
10詳細(xì)說(shuō)明
- 10.1 概述
- 10.2 功能方框圖
- 10.3
特性說(shuō)明
- 10.3.1 斷電或欠壓鎖定
- 10.3.2 輸入過(guò)壓保護(hù) (OVP) - 持續(xù)監(jiān)控
- 10.3.3 降壓轉(zhuǎn)換器
- 10.3.4 FREQ/SYNC
- 10.3.5 自舉電壓 (BOOT)
- 10.3.6 最小導(dǎo)通時(shí)間、最小關(guān)斷時(shí)間
- 10.3.7 內(nèi)部補(bǔ)償
- 10.3.8 可選輸出電壓 (VSET)
- 10.3.9 電流限制和短路保護(hù)
- 10.3.10 電纜補(bǔ)償
- 10.3.11 具有溫度感測(cè) (TS) 和 OTSD 功能的熱管理
- 10.3.12 熱關(guān)斷
- 10.3.13 USB 使能開關(guān)控制 (TPS25859-Q1)
- 10.3.14 FAULT 指示 (TPS25859-Q1)
- 10.3.15 USB 規(guī)范概述
- 10.3.16 USB Type-C? 基礎(chǔ)知識(shí)
- 10.3.17 USB 端口工作模式
- 10.4 器件功能模式
- 11應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 12電源相關(guān)建議
- 13布局
- 14器件和文檔支持
- 15機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RPQ|25
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
10.3.9.3 逐周期降壓電流限制
對(duì)電感器電流的峰值和谷值都施加了降壓穩(wěn)壓器逐周期電流限制。
高側(cè) MOSFET 過(guò)流保護(hù)是通過(guò)峰值電流模式控制的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)高側(cè)開關(guān)在既定消隱時(shí)間后打開時(shí)，將感測(cè)高側(cè)開關(guān)電流。每個(gè)開關(guān)周期內(nèi)，高側(cè)開關(guān)電流將與誤差放大器 (EA) 減去斜坡補(bǔ)償?shù)妮敵鲞M(jìn)行比較。高側(cè)開關(guān)的電流峰值受最大鉗位峰值電流閾值 IHS_LIMIT（恒定值）限制。高側(cè)開關(guān)的峰值電流限制不受斜率補(bǔ)償影響，在整個(gè)占空比范圍內(nèi)保持恒定。
此外，還將對(duì)流經(jīng)低側(cè) MOSFET 的電流進(jìn)行感測(cè)和監(jiān)控。當(dāng)?shù)蛡?cè)開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，電感電流開始下降。開關(guān)周期結(jié)束時(shí)，如果低側(cè)開關(guān)的電流高于 低側(cè)電流限值 ILS_LIMIT，則低側(cè)開關(guān)不會(huì)關(guān)閉。低側(cè)開關(guān)保持導(dǎo)通，從而使電感器電流不斷下降，直到電感器電流低于低側(cè)電流限值 ILS_LIMIT。然后，低側(cè)開關(guān)關(guān)閉，高側(cè)開關(guān)在經(jīng)過(guò)死區(qū)時(shí)間之后開啟。該操作與更為典型的峰值限流稍有不同，其最大負(fù)載電流可通過(guò)Equation10 計(jì)算得出。
