ZHCSYG1 June 2025 TLV7A03
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在大多數(shù) LDO 中,當(dāng)器件處于壓降狀態(tài)時(shí),IQ 會(huì)顯著增加,對(duì)于低 IQ LDO 尤其如此。TLV7A03 通過(guò)檢測(cè)器件何時(shí)在壓降條件下運(yùn)行并保持低 IQ 來(lái)幫助減少電池放電。