ZHDS016 December 2025 TLV6722
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YBJ|9
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.4.2 低電源復(fù)位取消置位
圖 8-3 M_RSTn 電壓與 H_VCC 電壓間的關(guān)系M_RSTn 是 OSFP/OSFP-XD 模塊系統(tǒng)的硬件復(fù)位信號(hào)。置位 M_RSTn 引腳時(shí)，會(huì)將模塊的狀態(tài)機(jī)保持在復(fù)位穩(wěn)態(tài)；因此，明確 M_RSTn 引腳在何種 H_VCC 供電電壓下被撤銷置位，確保能正常喚醒下游電路，這一點(diǎn)至關(guān)重要。M_RSTn 失效取決于 TLV672x 的多個(gè)特性參數(shù)，例如 H_VCC、V IT+、R2 和 R3。為全面考量影響 M_RSTn 失效的所有因素，特提供 VWAKE_UP 規(guī)格值，該 H_VCC 值可觸發(fā) M_RSTn 失效。此規(guī)范屬于系統(tǒng)級(jí)規(guī)范，需配合主機(jī)側(cè) R1（68kΩ 電阻器）進(jìn)行測量，以考量主機(jī)側(cè)對 INT/RSTn 的貢獻(xiàn)。
上圖展示了 H_VCC 升壓過程中上拉電阻器與 H_VCC 連接時(shí)的 M_RSTn 輸出狀態(tài)。在區(qū)域 1 中，H_VCC 低于 VPOR 且 TLV672x 內(nèi)的有源電路處于關(guān)閉狀態(tài)，從而使輸出呈 Hi-Z 狀態(tài)。在區(qū)域 2 中，H_VCC 高于 VPOR，內(nèi)部電路獲得足夠電壓裕度開始工作。但是，由于 H_VCC 電壓較低且存在 INT/RSTn 電阻分壓器，INT/RSTn 仍低于 V IT+，因此 M_RSTn 輸出為低電平（復(fù)位置為有效）。在區(qū)域 3 中，H_VCC 足夠高，使 INT/RSTn 超過 V IT+，因此 M_RSTn 過渡到 Hi-Z（復(fù)位置為無效）。VWAKE_UP 是 M_RSTn 置為無效的邊界，此時(shí) OSFP 模塊系統(tǒng)將脫離復(fù)位穩(wěn)態(tài)。