TAS5802 具有不同功率耗散的五種狀態(tài)，電氣特性 表中列出了這些狀態(tài)。
- 關(guān)斷模式。PDN 引腳下拉至 GND。所有內(nèi)部 LDO（數(shù)字內(nèi)核為 1.5V，模擬為 5V）禁用，所有寄存器清除至默認(rèn)值。
注：
退出關(guān)斷模式并重新進(jìn)入播放模式時(shí)，需要重新加載所有寄存器配置（由 PurePath Console3 生成）。
- 深度睡眠模式。寄存器 0x68h [1:0]=00，器件保持深度睡眠模式。在此模式下，I2C 塊和用于數(shù)字內(nèi)核的 1.5V LDO 仍然工作，但內(nèi)部 5V LDO（用于 AVDD 和 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器）已禁用，以實(shí)現(xiàn)低功率耗散。此模式可用于延長(zhǎng)某些便攜式揚(yáng)聲器應(yīng)用中的電池壽命。如果主機(jī)處理器長(zhǎng)時(shí)間停止播放音頻，TAS5802可以設(shè)置為深度睡眠模式以更大限度地降低功率耗散，直到主機(jī)處理器再次開始播放音頻。與關(guān)斷模式（將 PDN 拉至低電平）不同的是，進(jìn)入或退出深度睡眠模式，DSP 保持運(yùn)行狀態(tài)。
注：
與深度睡眠模式一樣，內(nèi)部 5V LDO（用于 AVDD 和內(nèi)部 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器）被禁用。要退出深度睡眠模式并重新進(jìn)入播放模式，需執(zhí)行以下序列以實(shí)現(xiàn)內(nèi)部有限狀態(tài)機(jī)的快速配置（以 TAS5802 I2C 設(shè)備地址 0xA8 為例）。
w A8 00 00 #轉(zhuǎn)至頁(yè) 0
w A8 7f 00 #將簿更改為 0x00
w A8 68 02 #將器件更改為高阻態(tài)模式
w A8 68 00 #將器件更改為深度睡眠模式
w A8 00 00 #轉(zhuǎn)至頁(yè) 0
w A8 7f 00 #將簿更改為 0x00
w A8 68 02 #將器件更改為高阻態(tài)模式
w A8 68 03 #將器件更改為播放模式
- 睡眠模式。寄存器 0x68h [1:0]=01，器件保持睡眠模式。在此模式下，I2 C 塊、數(shù)字內(nèi)核、DSP 存儲(chǔ)器、5V 模擬 LDO 仍然工作。與關(guān)斷模式（將 PDN 拉至低電平）不同的是，進(jìn)入或退出睡眠模式，DSP 保持運(yùn)行狀態(tài)。要退出此模式并重新進(jìn)入播放模式，只需設(shè)置寄存器 0x68h [1:0]=11。
- 輸出 Hi-Z 模式。寄存器 0x68h [1:0]=10，器件保持 Hi-Z 模式。在此模式下，只有輸出驅(qū)動(dòng)器設(shè)置為 Hi-Z 狀態(tài)，所有其他塊都正常運(yùn)行。要退出此模式并重新進(jìn)入播放模式，只需設(shè)置寄存器 0x68h [1:0]=11。
- 播放模式。寄存器 0x68h [1:0]=11，器件保持播放模式。