9 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (March 2025)to RevisionC (December 2025)
- 在規(guī)格中添加了器件流程信息的說明Go
- 向電氣特性中的典型測試條件添加了所有芯片原產(chǎn)地 (CSO) 條件Go
- 向電氣特性中的增益帶寬添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的轉(zhuǎn)換率添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的短路電流添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的 8nA 至 240nA（下降）電流階躍響應(yīng)時間添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 在電氣特性中將 8nA 至 240nA（下降）的階躍響應(yīng)時間從 6μs 更改為 7.6μsGo
- 向電氣特性中的 10nA 至 100nA（下降）電流階躍響應(yīng)時間添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的 10nA 至 1μA（下降）電流階躍響應(yīng)時間添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的靜態(tài)電流添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的典型測試條件添加了所有芯片原產(chǎn)地 (CSO) 條件Go
- 向電氣特性中的增益帶寬添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的轉(zhuǎn)換率添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的短路電流添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的 8nA 至 240nA（下降）電流階躍響應(yīng)時間添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 在電氣特性中將 8nA 至 240nA（下降）的階躍響應(yīng)時間從 6μs 更改為 7.6μsGo
- 向電氣特性中的 10nA 至 100nA（下降）電流階躍響應(yīng)時間添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的 10nA 至 1μA（下降）電流階躍響應(yīng)時間添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向電氣特性中的靜態(tài)電流添加了不同的制造過程規(guī)格Go
- 向典型特性中的典型測試條件添加了所有芯片原產(chǎn)地 (CSO) 條件Go
- 在典型特性中添加了 CSO：SHE 流的 A4 和 A5 增益和相位與頻率間的關(guān)系、A4 和 A5 非反相閉環(huán)響應(yīng)、A4 和 A5 反相閉環(huán)響應(yīng)、A4 和 A5 容性負載響應(yīng)曲線Go
- 向典型特性中的 A4 和 A5 增益和相位與頻率間的關(guān)系、A4 和 A5 非反相閉環(huán)響應(yīng)、A4 和 A5 反相閉環(huán)響應(yīng)、A4 和 A5 容性負載響應(yīng)添加了 CSO：TID 信息Go
- 向器件命名規(guī)則添加了器件型號流程信息表Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (March 2007)to RevisionB (March 2025)
- 添加了“引腳配置”、“規(guī)格”、“ESD 等級”、“建議的工作條件”、“熱性能信息”、“詳細說明”、“典型應(yīng)用”、“布局”、“布局指南”、“器件和文檔支持”以及“機械、封裝和可訂購信息”這些章節(jié)Go
- 更新了整個文檔中的表格、圖和交叉參考的編號格式Go
- 添加了引腳功能表Go
- 添加了 CDM ESD 等級Go
- 將 ESD 額度值從絕對最大額定值等級 移至 ESD 等級
Go
- 將指定溫度和電源參數(shù)從電氣特性 移至建議運行條件
Go
- 刪除了電氣特性中的熱阻 θJA 參數(shù)，并將其替換為熱性能信息中的詳細熱模型參數(shù)Go
- 更新了電氣特性表的格式Go
- 更改了電氣特性中的對數(shù)一致性誤差，在 1nA 至 100μA（5 個數(shù)量級）范圍內(nèi)，最大規(guī)格由 0.2% 調(diào)整為 0.3%（0.017dB 至 0.026dB）Go
- 更改了電氣特性中的對數(shù)一致性誤差，在 100pA 至 3.5mA（7.5 個數(shù)量級）范圍內(nèi)，典型規(guī)格由 0.9% 調(diào)整為 2.2%（0.08dB 至 0.19dB）Go
- 更改了電氣特性中的對數(shù)一致性誤差，在 100pA 至 3.5mA（7.5 個數(shù)量級）（-5°C 至 75°C）范圍內(nèi)，典型規(guī)格由 0.5% 調(diào)整為 2.3%Go
- 在電氣特性中為電流噪聲 in 添加了測試條件Go
- 在電氣特性中將 BW（10μA 至 1mA（比率 1:100）、1mA 至 3.5mA（比率 1:3.5）和 3.5mA 至 10mA（比率 1:2.9））整合為 10μA 至 10mA (1:1k)Go
- 刪除了電氣特性中的 10nA 至 10μA（比率 1:1k）和 10nA 至 1mA（比率 1:100k）的階躍響應(yīng)規(guī)格Go
- 在電氣特性中將 8nA 至 240nA（上升）的階躍響應(yīng)時間從 0.7μs 更改為 0.8μsGo
- 在電氣特性中將 8nA 至 240nA（下降）的階躍響應(yīng)時間從 1μs 更改為 6μsGo
- 在電氣特性中將 10nA 至 1μA（上升）的階躍響應(yīng)時間從 0.15μs 更改為 0.25μsGo
- 在電氣特性中將 10nA 至 1μA（下降）的階躍響應(yīng)時間從 0.25μs 更改為 4μsGo
- 更改了電氣特性中的對數(shù)一致性誤差，在 1nA 至 100μA（5 個數(shù)量級）范圍內(nèi)，最大規(guī)格由 0.25% 調(diào)整為 0.3%（0.022dB 至 0.026dB）Go
- 更改了電氣特性中的對數(shù)一致性誤差，在 100pA 至 3.5mA（7.5 個數(shù)量級）范圍內(nèi)，典型規(guī)格由 0.9% 調(diào)整為 2.2%（0.08dB 至 0.19dB）Go
- 更改了電氣特性中的對數(shù)一致性誤差，在 100pA 至 3.5mA（7.5 個數(shù)量級）（-5°C 至 75°C）范圍內(nèi)，典型規(guī)格由 0.5% 調(diào)整為 2.3%Go
- 將電氣特性中的比例因子誤差從 0.0.35dB 更改為 0.035dB
Go
- 將電氣特性中的比例因子誤差從 0.035% 更改為 1.5%Go
- 在電氣特性中為電流噪聲 in 添加了測試條件
Go
- 在電氣特性中將 BW（10μA 至 1mA（比率 1:100）、1mA 至 3.5mA（比率 1:3.5）和 3.5mA 至 10mA（比率 1:2.9））整合為 10μA 至 10mA (1:1k)Go
- 刪除了電氣特性中的 10nA 至 10μA（比率 1:1k）和 10nA 至 1mA（比率 1:100k）的階躍響應(yīng)規(guī)格Go
- 在電氣特性中將 8nA 至 240nA（上升）的階躍響應(yīng)時間從 0.7μs 更改為 0.8μsGo
- 在電氣特性中將 8nA 至 240nA（下降）的階躍響應(yīng)時間從 1μs 更改為 6μsGo
- 在電氣特性中將 10nA 至 100nA（下降）的階躍響應(yīng)時間從 2μs 更改為 5μsGo
- 在電氣特性中將 10nA 至 1μA（上升）的階躍響應(yīng)時間從 0.15μs 更改為 0.25μsGo
- 在電氣特性中將 10nA 至 1μA（下降）的階躍響應(yīng)時間從 0.25μs 更改為 4μsGo
- 更改了典型圖：A4 和 A5 增益和相位與頻率間的關(guān)系，A4 和 A5 非反相閉環(huán)響應(yīng)，A4 和 A5 反相閉環(huán)響應(yīng)，A4 和 A5 容性負載響應(yīng)
Go
- 刪除了典型特性圖：對數(shù)一致性隨溫度變化，4 個數(shù)量級 IREF
下的對數(shù)一致性，5 個數(shù)量級 IREF
下的對數(shù)一致性，6 個數(shù)量級 IREF
下的對數(shù)一致性，8 個數(shù)量級 IREF 下的對數(shù)一致性
Go
- 添加了“輔助運算放大器”章節(jié)Go
- 刪除了設(shè)置 IREF 的示例 圖中建議的晶體管Go
- 更改了“負輸入電流”章節(jié)中建議的運算放大器、晶體管和二極管Go
- 添加了“高電流線性度校正”章節(jié)Go
- 更改了“雙電源配置的設(shè)計示例”章節(jié)中的公式Go
- 更改了用于對轉(zhuǎn)至 ADC 級的輸出進行縮放和偏移的運算放大器配置圖Go