ZHCSW69L April 2000 – June 2025 LM2670
PRODUCTION DATA
升壓電容器會(huì)產(chǎn)生用于過驅(qū)內(nèi)部功率 MOSFET 柵極的電壓。這樣可通過盡可能降低開關(guān)的導(dǎo)通電阻和相關(guān)的功率損耗來提高效率。對(duì)于所有應(yīng)用，TI 建議使用 0.01μF、50V 陶瓷電容器。