ZHCSYY2 September 2025 ISOTMP35R-Q1
ADVANCE INFORMATION
雖然濾波器設(shè)計取決于系統(tǒng)級噪聲源,但建議采用以下做法:
將 0.1μF 旁路電容器盡可能靠近 ISOTMP35R-Q1VDD 引腳布置。此電容器是實現(xiàn)出色運行所必需的,即使在使用額外濾波器時也應始終存在。
使用 C0G/NP0 電容器進行信號路徑濾波,并將 SMT 封裝尺寸限制為 0603 或更小,以便最大程度減少寄生效應。
選擇鐵氧體磁珠進行高頻濾波時,請確保 DCR < 1Ω 以避免壓降,壓降可能在 VDD 上引入額外的噪聲。
使用低 ESR 電容器,這些電容器提供低阻抗接地路徑并改善高頻噪聲抑制性能。