ZHCSYY2 September 2025 ISOTMP35R-Q1
ADVANCE INFORMATION
EMI 抑制從原理圖層面開(kāi)始。TI 建議在 ISOTMP35R-Q1 布線(xiàn)上使用 RC 濾波器或 π 型濾波器來(lái)衰減耦合噪聲。此外,VDD 和 GND 上的鐵氧體磁珠有助于在噪聲耦合到器件之前抑制高頻噪聲。
在 ISOTMP35R-Q1 引腳處和信號(hào)端接點(diǎn)布放置濾波元件。例如,僅在器件附近布置 RC 濾波器會(huì)使布線(xiàn)的其余部分易受噪聲拾取的影響。圖 7-3 展示了用于減少 EMI 影響的濾波器配置示例。