ZHCSXK9A December 2024 – December 2024 BQ41Z90
ADVANCE INFORMATION
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
BQ41Z90 器件可通過多種硬件方法進(jìn)行復(fù)位，包括上電復(fù)位 (POR)、窗口化看門狗計(jì)時(shí)器 (WWDT) 啟動(dòng)的復(fù)位、可選的 FLASH DED 啟動(dòng)的復(fù)位、安全違例啟動(dòng)的復(fù)位和 CPU 啟動(dòng)的復(fù)位。還可通過外部引腳置位來觸發(fā)器件進(jìn)行 MCU 復(fù)位或上電復(fù)位（請(qǐng)參閱下一節(jié)中的說明）。通過來自主機(jī)的通信，也可將器件配置為復(fù)位（如果器件上的應(yīng)用固件編程為允許這樣做并且可以運(yùn)行），例如：使用 ManufacturerAccess( ) 命令觸發(fā) MCU 下電上電。
| 復(fù)位類型 | 復(fù)位的塊 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CPU | MCU 數(shù)字芯片 | RAM | 通信 | MCU 上的診斷寄存器 (2) | AFE 上的診斷寄存器 (3) | AFE | |
| POR | X | X | X | X | X | X | X |
| MCU | X | X | X | X | |||
| WWDT | X | ||||||
| 通信(1) | X | X | X | X | X | X | |
如果 VREG18 上的電壓降至 VREG18POR– 以下（通常由被移除的 BAT 和 VCC 引腳上的電壓觸發(fā)），AFE 會(huì)進(jìn)入上電復(fù)位狀態(tài)。當(dāng) VREG18 上升至高于 VREG18POR– + VHYS 的時(shí)間達(dá)到 tRST 時(shí)，該器件會(huì)退出復(fù)位模式。
如果發(fā)生下電上電，BQ41Z90 AFE 將在 tRST_POR 持續(xù)時(shí)間內(nèi)使其內(nèi)部 RESET 輸出引腳保持高電平，以便加載其片上修整，并在 MCU 芯片從復(fù)位狀態(tài)釋放之前使集成的 1.8V LDO、1.35V LDO 和 LFO 保持穩(wěn)定。
當(dāng) MCU 芯片從復(fù)位狀態(tài)釋放時(shí)，它將上電并執(zhí)行一些有限的修整加載，然后啟用 CPU。從上電到該階段的時(shí)間為 tRST_ROM。
一旦 CPU 啟動(dòng)并且 ROM 初始化代碼已運(yùn)行，閃存代碼便可開始執(zhí)行。從上電到該階段的時(shí)間為 tRST_EXE。
MCU 復(fù)位可由 WWDT、CPU、安全違例或可選閃存 DED 觸發(fā)
這是在 MCU 上發(fā)生，不會(huì)影響 AFE。這會(huì)復(fù)位與 CPU 相關(guān)的所有內(nèi)容。
這是在 MCU 上發(fā)生，不會(huì)影響 AFE。這會(huì)復(fù)位 MCU 中除 RESET_REASON 寄存器（該寄存器指示 WWDT 觸發(fā)了 RESET）和 USER_DATA 寄存器之外的所有內(nèi)容。
可通過向 AFE 發(fā)出命令來復(fù)位 BQ41Z90 的 MCU。如果，則 AFE 將通過禁用然后啟用 AFE 的 REG135 穩(wěn)壓器輸出對(duì) MCU 進(jìn)行下電上電。