6 元件選擇和測試結(jié)果

務必要考慮如何選擇系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件來達到這些效果。

對于理想二極管 MOSFET Q1 和 Q2，具有 +/-20V VGS(MAX) 的 60V VDS(MAX) 可在所有故障條件下提供足夠的裕度。標稱電流下的 RDS_ON：（20mV/標稱電流）≤ RDSON ≤（50mV/標稱電流）對于保持較低的反向電流十分重要。例如，在 5A 設計中，RDS_ON 的范圍在 4mΩ 到 12.5mΩ 之間。

MOSFET 柵極閾值電壓 Vth 的最大值為 2V。

PNP 晶體管 Q3 會在齊納二極管 DC 激活后出現(xiàn)最大壓降，并且其額定電壓應大于 (VIN-MAX – VBR-DC)。它還必須支持 LM74700D-Q1 的靜態(tài)電流（小于 1mA）?？梢允褂?BC857-Q 等晶體管。

對于齊納二極管 DZ1 和 DZ2：應選擇 BZX84J-B62 等 62V 齊納二極管，以便將陰極限制為低于 75V 的陽極。對于齊納二極管 DC，直流電路的擊穿電壓 (VBR-DC) 決定了 VIN 上出現(xiàn)開關(guān)瞬態(tài)時，陽極至接地引腳之間的鉗位電壓。利用 BZX84J-B62 等 62V 齊納二極管可以限制電壓并為 LM74700D-Q1 提供足夠的裕度。阻斷二極管 DB 的阻斷電壓應接近最大輸入電源反向電壓，因此應選擇額定電壓至少為 60V 的二極管，例如 NSR0170P2T5G。

電阻器 RZ1 和 RZ2 是適用于 DZ1 和 DZ2 的偏置電阻器。1kΩ 到 2kΩ 范圍內(nèi)的任何值都應該足夠了。電阻器 RB 是直流電的偏置電阻器，10kΩ 到 47kΩ 范圍內(nèi)的任何值都足以滿足要求。

圖 7 和圖 8 展示了在系統(tǒng)啟動前后施加輸入反極性時，MOSFET 上的漏源電壓分布情況。如圖所示，MOSFET 共享相同的電壓，每個 MOSFET 的最大電壓小于 60V。圖 9 顯示了接地路徑瞬態(tài)鉗位網(wǎng)絡的性能，其中陽極至 IC 接地鉗位至 62V，以應對 VIN 上發(fā)生的 70V 負載突降事件。