閂鎖效應(yīng) (LU) 是 Vs 和 GND 之間的低阻抗路徑，會(huì)極大地增加電源電流，并很容易通過(guò)持續(xù)發(fā)熱損壞器件。盡管閂鎖效應(yīng)并不總是會(huì)造成損壞，但可以通過(guò)下電上電來(lái)消除。

所有基于 CMOS 或 BiCMOS 或采用結(jié)隔離工藝的 IC 中都可能出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)，這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)基本用法使用 NMOS 和 PMOS 晶體管時(shí)，會(huì)存在由 PN 結(jié)形成的固有橫向寄生晶體管和二極管。

引起閂鎖效應(yīng)的三種方式是過(guò)壓、電流注入和快速瞬變。在正常器件工作條件下，這些事件可能會(huì)導(dǎo)致 ESD 單元被意外激活。如果 ESD 單元由 EOS 或快速邊沿瞬變充分觸發(fā)，可能會(huì)導(dǎo)致載波從 ESD 單元涌入器件基板，進(jìn)而導(dǎo)致閂鎖效應(yīng)。

大多數(shù)閂鎖效應(yīng)是 ESD 單元或寄生通路導(dǎo)通造成的。ESD 單元是一個(gè)載波容器，當(dāng)輸入端存在觸發(fā)因素時(shí)，載波容器可能會(huì)溢出布局和基板。

使用防護(hù)環(huán)可以緩解 IC 中的閂鎖效應(yīng)。防護(hù)環(huán)充當(dāng)載流阱，以防止載波進(jìn)入器件基板。如果載波太多，閂鎖效應(yīng)可能發(fā)生于防護(hù)環(huán)下方或上方。所有 ESD 單元都可以擁有自己的防護(hù)環(huán)。

然而，只有當(dāng)電源引腳為低阻抗，并且去耦電容足夠大時(shí)，防護(hù)環(huán)才能正常工作。因此，如果不采用基本布局技術(shù)，放大器可能會(huì)變得更容易發(fā)生閂鎖效應(yīng)。

如需了解更多信息，請(qǐng)參考閂鎖效應(yīng) 白皮書(shū)，其中介紹了 IC 閂鎖效應(yīng)的理論和實(shí)踐。