4 EMI 特定指南

PCB 布局設計可以顯著提高 EMI 性能。本節(jié)提供了一些適用于 EMI 受限型應用的建議。

音頻放大器產(chǎn)生的輻射發(fā)射主要來自輸出 D 類開關。特別是對于 TAS2120 和 TAS2320，當 D 類開關從 0V 升至 VDD 電壓軌時，在較低功率下的輻射也較低。隨著輸出功率的增加，當電壓軌切換到 PVDD 時，輻射也會增加。在 PCB 布局設計過程中，請考慮以下建議以提高輻射發(fā)射性能。

• 需要使用內(nèi)層布置輸出布線。建議在用于輸出布線的層的頂部和底部使用 GND 屏蔽。
• 僅當使用鐵氧體或電感器和電容器等輸出濾波器元件時，才使用頂層或底層。在焊盤上使用多個過孔，盡可能減少頂層或底層上的銅面積。
• TAS2120 和 TAS2320 對 D 類輸出具有邊沿速率控制功能。為了獲得出色的 EMI 性能，請將邊沿速率配置為最慢設置 (0.5V/ns)。
• 如果更多 EMI 受限系統(tǒng)需要 LC 濾波器，請參閱以下文檔，進一步了解如何選擇濾波器元件：
  • LC 濾波器設計應用手冊。
  • LCFILTER-CALC-TOOL D 類 LC 濾波器設計器