圖 3-5 中介紹了建模容性負載的一個簡單示例。該電路顯示了一個開關的簡化模型，此開關使用 10μF 輸出電容器驅動 24V 500mA 直流負載。在此示例中，電纜的電阻和電感分別為 100mΩ 和 5μH：

圖 3-5 不受控制的電容器充電原理圖

圖 3-6 不受控制的電容器充電波形

圖 3-6 展示了不受控制的 dV/dT 會導致浪涌電流達到近 30A，并伴有嚴重的振鈴。如果未對電流加以限制，這是給電容器充電的最快方法，但是對于許多系統(tǒng)來說，這種浪涌電流是不可接受的，并且無法受到輸入電源軌的支持。

一種選擇是找到一種方法來限制此電流，同時不影響系統(tǒng)或導致電容器充電時間過長。一個簡單的解決方案是讓設計人員添加一個 12Ω 的限流電阻器，如圖 3-7 所示。

圖 3-7 串聯(lián)電阻電容器充電原理圖

圖 3-8 串聯(lián)電阻電容器充電仿真

添加 12Ω 限流電阻器會將峰值電流限制在 2A 以下，但由于該額外 12Ω 電阻上的功率耗散和電壓降，這并不是可行的解決方案。對于 500mA 直流負載，這會在電阻器上增加 3W 額外功率耗散和 6V 壓降。這種熱耗散和電壓降在大多數應用中是不可接受的。

即使是相對較小的 10μF 負載，也需要更好的解決方案。對于更大的容性負載，這些影響將進一步放大。

TI 智能高側開關能夠通過限流對容性負載進行線性充電，從而限制浪涌電流。為電容器充電時，智能高側開關會識別過流事件并將輸出電流鉗制在可調的設定點。圖 3-9 所示為 TPS2H160-Q1 在電流限值為 1A 的情況下為 470μF 電容充電的位置：

圖 3-9 TPS2H160-Q1 在 1A 時的電流限制

現在，電容器可完全充電，不允許輸出電流超過 1A，也不會給系統(tǒng)增加明顯的直流串聯(lián)電阻。由于 FET 在此充電期間升溫，最終會因為內部 MOSFET 工作模式之間的高溫轉換而出現一些振鈴，但由于瞬態(tài)時間長度較短，這不會使系統(tǒng)面臨風險。TPS2H160-Q1 的導通電阻僅為 160mΩ，因此在相同的 500mA 直流工作電流下，功率損耗和壓降分別只有 40mW 和 80mV 。這些數值對于系統(tǒng)來說更容易接受，并且不會導致模塊內部產生不必要的熱量。

如果 1A 的浪涌電流太大，TPS2H160-Q1 可靈活地將電流限值進一步降低至 500mA，如圖 3-10 所示。

圖 3-10 TPS2H160-Q1 在 500mA 時的電流限制

電容器上的電壓以從不超過設定電平的恒定電流進行線性充電。在考慮限制浪涌電流的合理方案時應了解，TI 智能高側開關電流限制功能能夠提供一種平衡型解決方案，允許在驅動電容性負載的同時限制浪涌電流。