數(shù)據(jù)表
TPS1H000-Q1
- 符合汽車應(yīng)用要求
- 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性:
- 器件溫度等級 1:–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 H2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 單通道 1000mΩ 智能高側(cè)開關(guān)
- 寬工作電壓:3.4V 至 40V
- 低待機(jī)電流:<500nA
- 可調(diào)節(jié)電流限制(利用外部電阻器)
- ≥150mA 時(shí):±15%
- ≥300mA 時(shí):±10%
- 可配置電流限制后的行為
- “保持”模式
- 閉鎖模式(具有可調(diào)節(jié)的延遲時(shí)間)
- “自動(dòng)重試”模式
- 支持獨(dú)立操作(無需 MCU)
- 保護(hù):
- GND 短路和過載
- 熱關(guān)斷和熱振蕩
- 用于電感負(fù)載的負(fù)電壓鉗位
- GND 損耗和電池?fù)p耗
- 診斷:
- 過載和接地短路檢測
- 開路負(fù)載和電池短路檢測(導(dǎo)通或關(guān)斷狀態(tài)下)
- 熱關(guān)斷和熱振蕩
TPS1H000-Q1 器件是受到全面保護(hù)的單通道高側(cè)電源開關(guān),具有集成式 1000mΩ NMOS 功率 FET。
可調(diào)節(jié)電流限制可通過限制浪涌或過載電流來提高系統(tǒng)可靠性。高精度電流限制可增強(qiáng)過載保護(hù),從而簡化前沿電源設(shè)計(jì)。擁有可配置的特性,能夠在功能、成本和熱耗散方面提供相應(yīng)的設(shè)計(jì)靈活性。
該器件支持對數(shù)字狀態(tài)輸出進(jìn)行全面診斷。在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)下皆可進(jìn)行開路負(fù)載檢測。無論是否有 MCU,該器件都能正常工作。“獨(dú)立”模式支持在隔離型系統(tǒng)中使用此器件。
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評估板
TPS1H000EVM — TPS1H000-Q1 40V、1A、1000m? 導(dǎo)通電阻高側(cè)開關(guān)評估模塊
TPS1H000-Q1 評估模塊 (EVM) 是一個(gè)經(jīng)全面封裝測試的電路,用于評估 TPS1H000-Q1 單通道高側(cè)開關(guān)。TPS1H000EVM 支持用戶在不同的負(fù)載條件下(0A 至 1A)向 TPS1H000-Q1 器件施加不同的輸入電壓(3.4V 至 40V)。在該 EVM 上可監(jiān)測輸出、輸入、診斷和開關(guān)波形。
用戶指南: PDF
仿真模型
TPS1H000A Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. B)
SLVMCE7B.ZIP (85 KB) - PSpice Model
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計(jì)。