主要限制因素 1：電荷相關(guān)損耗

在任何採(cǎi)用硬性切換的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中，系統(tǒng)中的充電與放電寄生電容需要某種程度的能源。在給定切換技術(shù)與額定電壓的情況下，方程式 2 和方程式 3 計(jì)算損耗的方式如下：

其中

• C_DS 為 MOSFET 汲極至源極電容
• V_DS 為 MOSFET 汲極至源極電壓
• f_SW 是切換頻率
• Q_G 是閘極電荷
• V_G 是閘極至源極電壓

您可從方程式 2 和方程式 3 中看到，減少損耗的主要方式為降低切換頻率 (不推薦) 以提升 MOSFET 電荷相關(guān) FoM (QG 與 CDS)，或在傳導(dǎo)損耗與切換損耗間進(jìn)行權(quán)衡。