NESY031C january 2023 – april 2023 LMQ61460-Q1 , TPS54319 , TPS62088 , TPS82671 , UCC12040 , UCC12050
在降壓轉(zhuǎn)換器中,當?shù)蛡?cè) MOSFET 本體二極體進行電流傳導,反向復原會在高側(cè) MOSFET 開啟時發(fā)生,迫使低側(cè)二極體電流快速轉(zhuǎn)換至高側(cè) MOSFET。在此轉(zhuǎn)換過程中,需要電流才能將造成直接切換損耗的低側(cè)二極體少數(shù)電荷移除,詳情參見方程式 4。
減少二極體反向復原影響的最佳方式之一,是透過最佳化 MOSFET 設計減少儲存電荷 (QRR),或者縮短或消除上升邊緣失效時間,進而將損耗造成的影響完全抵消。