GERY013C january 2023 – april 2023 LMQ61460-Q1 , TPS54319 , TPS62088 , TPS82671 , UCC12040 , UCC12050
In einem Abw?rtswandler tritt eine Sperrverz?gerung auf, wenn der High-Side-MOSFET eingeschaltet wird, w?hrend die Bodydiode des Low-Side-MOSFET Strom leitet, wodurch der Strom der Low-Side-Diode gezwungen wird, schnell auf den High-Side-MOSFET überzugehen. Bei diesem übergang wird zur Entfernung der Minorit?tsladung der Low-Side-Diode, die einen direkten Schaltverlust verursacht, ein Strom ben?tigt; siehe Gleichung 4.
Einer der besten Ans?tze zur Verringerung der Auswirkungen der Sperrverz?gerung von Dioden besteht darin, die gespeicherte Ladung (QRR) durch ein optimiertes MOSFET-Design zu reduzieren oder die Totzeit der steigenden Flanke zu verringern bzw. zu eliminieren, sodass die Auswirkungen des Verlusts komplett rückg?ngig gemacht werden.