ZHDS013 December 2025 UCC23710
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實(shí)施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DW|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.3.4 驅(qū)動器級
該器件具有 ±5A 的峰值驅(qū)動強(qiáng)度，適合大功率應(yīng)用。高驅(qū)動強(qiáng)度可以直接驅(qū)動 SiC MOSFET 模塊、IGBT 模塊或并聯(lián)分立式器件，而無需額外的緩沖級。該器件還可用于驅(qū)動功率更高的模塊或者具有額外緩沖級的并聯(lián)模塊。無論 VDD 的值如何，峰值灌電流和拉電流都可以保持在 5A。該驅(qū)動器具有一項(xiàng)重要的安全功能，借助該功能，當(dāng)輸入引腳處于懸空狀態(tài)時，OUT 保持在低電平狀態(tài)。該驅(qū)動器如圖 6-3 所示，通過使用固有自舉柵極驅(qū)動實(shí)施 NMOS 上拉，實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出。在直流條件下，PMOS 用于保持 OUT 與 VDD 的連接，如圖中所示。NMOS 具有低上拉阻抗，從而在導(dǎo)通瞬變期間可產(chǎn)生強(qiáng)驅(qū)動強(qiáng)度，從而縮短功率半導(dǎo)體的輸入電容的充電時間。有關(guān)輸入到輸出時序圖，請參閱圖 6-4。
圖 6-3 柵極驅(qū)動器輸出級
圖 6-4 輸入到輸出時序圖