ZHDS013 December 2025 UCC23710
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 引腳 | I/O(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| GND | 1.4 | P | 輸入側(cè)接地導(dǎo)軌 |
| VCC | 2 | P | 輸入電源電壓范圍為 3V 至 5.5V。使用 >1μF 電容器旁路至 GND。將去耦電容放置在靠近引腳的位置。 |
| FLT | 3 | O | DESAT 檢測時的低電平有效故障警報輸出。FLT 采用漏極開路配置,可與其他故障并聯(lián)。 |
| CATHODE | 5.8 | I | 負(fù)極 |
| ANODE | 6.7 | I | 正極 |
| VEE | 9.12 | P | 柵極驅(qū)動電壓的負(fù)電源軌。使用 >10μF 電容器旁路至 COM,以支持指定的柵極驅(qū)動器峰值灌電流能力。將去耦電容放置在靠近引腳的位置。 |
| CLMPI | 10 | O | 內(nèi)部有源米勒鉗位,將此引腳直接連接到功率晶體管的柵極。如果未使用,則保持懸空或連接到 VEE。 |
| OUT | 11 | O | 柵極驅(qū)動器輸出 |
| VDD | 13 | P | 柵極驅(qū)動電壓的正電源軌。使用 >10μF 電容器旁路至 COM,以支持指定的柵極驅(qū)動器峰值拉電流能力。將去耦電容放置在靠近引腳的位置。 |
| DESAT | 14 | O | 去飽和電流保護(hù)輸入。如果未使用,則連接到 COM。 |
| COM | 16 | P | 共接地基準(zhǔn),連接到 IGBT 的發(fā)射極引腳和 SiC-MOSFET 的源極引腳。 |