可選的外部柵極驅(qū)動(dòng)器電阻器 R_GSRC 和 R_GSNK 以及二極管用于：

1. 限制寄生電感和電容引起的振鈴。
2. 限制高電壓開(kāi)關(guān) dv/dt、高電流開(kāi)關(guān) di/dt 和體二極管反向恢復(fù)引起的振鈴。
3. 針對(duì)拉電流和灌電流微調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
4. 降低電磁干擾 (EMI)

TPSI3052-Q1 具有采用 P 溝道 MOSFET 的上拉結(jié)構(gòu)，峰值拉電流為1.5A。因此，可以使用以下公式來(lái)預(yù)測(cè)峰值拉電流：

其中

• R_GSRC：外部導(dǎo)通電阻。
• R_{DSON_VDRV}：高電平狀態(tài)下的 TPSI3052-Q1 驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻。請(qǐng)參閱電氣特性。
• V_VDDH：VDDH 電壓。在本例中假設(shè)為 15.1V。
• R_{GFET_INT}：外部功率晶體管內(nèi)部柵極電阻（見(jiàn)于功率晶體管數(shù)據(jù)表）。在本示例中假設(shè)為 0Ω。
• I_O+：峰值拉電流1.5A、柵極驅(qū)動(dòng)器峰值拉電流和基于柵極驅(qū)動(dòng)回路電阻計(jì)算出的值之間的最小值。

對(duì)于本示例，R_{DSON_VDRV} = 2.5Ω，R_GSRC = 10Ω 且 R_{GFET_INT} = 0Ω 時(shí)會(huì)得到：

同樣，TPSI3052-Q1 具有采用 N 溝道 MOSFET 的下拉結(jié)構(gòu)，其峰值灌電流為 3.0A。因此，假設(shè) R_{GFET_INT} = 0Ω，可以使用以下公式來(lái)預(yù)測(cè)峰值灌電流：

其中

• R_GSRC：外部導(dǎo)通電阻。
• R_GSNK：外部關(guān)斷電阻。
• R_{DSON_VDRV}：低電平狀態(tài)下的 TPSI3052-Q1 驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻。請(qǐng)參閱節(jié) 5.9。
• V_VDDH：VDDH 電壓。在本例中假設(shè)為 15.1V。
• V_F：二極管正向壓降。在本例中假設(shè)為 0.7V。
• I_O-：峰值灌電流。3.0A、柵極驅(qū)動(dòng)器峰值灌電流和基于柵極驅(qū)動(dòng)回路電阻計(jì)算出的值之間的最小值。

在本例中，假設(shè) R_{DSON_VDRV} = 1.7Ω、R_GSRC = 10Ω、R_GSNK = 5.0Ω 且 R_{GFET_INT} = 0Ω，得出：

重要的是，估算的峰值電流也受到 PCB 布局和負(fù)載電容的影響。柵極驅(qū)動(dòng)器環(huán)路中的寄生電感可以減慢峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流并導(dǎo)致過(guò)沖和下沖。因此，TI 強(qiáng)烈建議最大限度地減小柵極驅(qū)動(dòng)器環(huán)路。