ZHCSM28 December 2025 TPS1HC120-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DYC|8
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.3.2 電感負(fù)載關(guān)斷鉗位
當(dāng)關(guān)斷電阻負(fù)載時(shí)，由于電感特性，輸出電壓下拉至負(fù)值。如果在電流衰減期間沒(méi)有對(duì)電壓進(jìn)行鉗位，則功率 FET 可能會(huì)擊穿。在這種情況下，為了保護(hù)功率 FET，漏源電壓被內(nèi)部鉗制到 VDS,clamp。
在電流衰減期間 (TDECAY)，功率 FET 導(dǎo)通以進(jìn)行電感能量耗散。電源 (EBAT) 和負(fù)載 (ELOAD) 的能量都消耗在高側(cè)電源開(kāi)關(guān)本身上，稱(chēng)為 EHSD。如果電阻與電感串聯(lián)，則部分負(fù)載能量會(huì)在電阻中耗散。
從高側(cè)電源開(kāi)關(guān)的角度來(lái)看，EHSD 等于電流衰減期間的積分值。
當(dāng) R 大概等于 0 時(shí)，EHSD 可以簡(jiǎn)單地表示為：
圖 7-1 驅(qū)動(dòng)電感負(fù)載
圖 7-2 電感負(fù)載關(guān)斷圖如前所述，關(guān)斷時(shí)，電池能量和負(fù)載能量會(huì)在高側(cè)電源開(kāi)關(guān)上耗散，這會(huì)導(dǎo)致熱變化較大。對(duì)于每個(gè)高側(cè)電源開(kāi)關(guān)，最大安全功率耗散的上限取決于器件的固有容量、環(huán)境溫度和電路板功耗條件。
下圖顯示了器件在測(cè)試條件下可承受的單脈沖能量上限：VBB = 13.5V、1.5mH 至 100mH 的電感、R = 0Ω、FR4 2s2p 電路板、2- × 70μm 覆銅、2- × 35μm 覆銅。
圖 7-3 最大單脈沖能量與電感范圍間的關(guān)系