ZHCSM28 December 2025 TPS1HC120-Q1
PRODUCTION DATA
為了防止熱關(guān)斷,TJ 必須低于 150°C。如果輸出電流非常高,功率耗散可能會(huì)很大。良好的 PCB 設(shè)計(jì)可以?xún)?yōu)化熱傳遞,這對(duì)于器件的長(zhǎng)期可靠性至關(guān)重要。
為了獲得良好的熱性能,請(qǐng)將 VBB 焊盤(pán)連接到大面積覆銅。在 PCB 頂層,覆銅可以超出封裝尺寸。除此之外,建議在一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部 PCB 層和/或底層上布置一個(gè) VBB 平面。過(guò)孔必須將這些平面連接到頂部 VBB 覆銅。將 VOUT 焊盤(pán)連接到電路板上的大面積覆銅也有助于實(shí)現(xiàn)更好的熱性能。
如果在設(shè)計(jì)中使用 CIC 電容器,則必須將其盡可能靠近器件的 VBB 和 GND 引腳。如果使用接地網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行電池反向保護(hù),則 C IC 電容器必須從 VBB 網(wǎng)絡(luò)連接到 IC_GND 網(wǎng)絡(luò)。CVBB 電容器必須靠近 VBB 引腳放置,并連接到系統(tǒng)接地端以獲得出色的性能。
RILIM 電阻器必須放置在靠近器件的 ILIM 和 GND 引腳的位置。如果使用接地網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行電池反向保護(hù),則 RILIM 必須從 ILIM 引腳連接到 IC_GND 網(wǎng)絡(luò),以獲得出色的電流限制性能。