ZHCSM28 December 2025 TPS1HC120-Q1
PRODUCTION DATA
當(dāng)關(guān)斷電阻負(fù)載時,由于電感特性,輸出電壓下拉至負(fù)值。如果在電流衰減期間沒有對電壓進行鉗位,則功率 FET 可能會擊穿。在這種情況下,為了保護功率 FET,漏源電壓被內(nèi)部鉗制到 VDS,clamp。

在電流衰減期間 (TDECAY),功率 FET 導(dǎo)通以進行電感能量耗散。電源 (EBAT) 和負(fù)載 (ELOAD) 的能量都消耗在高側(cè)電源開關(guān)本身上,稱為 EHSD。如果電阻與電感串聯(lián),則部分負(fù)載能量會在電阻中耗散。

從高側(cè)電源開關(guān)的角度來看,EHSD 等于電流衰減期間的積分值。



當(dāng) R 大概等于 0 時,EHSD 可以簡單地表示為:

圖 7-1 驅(qū)動電感負(fù)載
圖 7-2 電感負(fù)載關(guān)斷圖如前所述,關(guān)斷時,電池能量和負(fù)載能量會在高側(cè)電源開關(guān)上耗散,這會導(dǎo)致熱變化較大。對于每個高側(cè)電源開關(guān),最大安全功率耗散的上限取決于器件的固有容量、環(huán)境溫度和電路板功耗條件。
下圖顯示了器件在測試條件下可承受的單脈沖能量上限:VBB = 13.5V、1.5mH 至 100mH 的電感、R = 0Ω、FR4 2s2p 電路板、2- × 70μm 覆銅、2- × 35μm 覆銅。