ZHCSXN6A December   2024  – January 2026 TAS5815

PRODUCTION DATA  

1.   1
2. 1 特性
3. 2 應(yīng)用
4. 3 說(shuō)明
5.   器件比較表
6. 4 引腳配置和功能
7. 5 規(guī)格
   1. 5.1 絕對(duì)最大額定值
   2. 5.2 ESD 等級(jí)
   3. 5.3 建議運(yùn)行條件
   4. 5.4 熱性能信息
   5. 5.5 電氣特性
   6. 5.6 時(shí)序要求
   7. 5.7 典型特性
      1. 5.7.1 采用 BD 調(diào)制的橋接負(fù)載 (BTL) 配置曲線
      2. 5.7.2 采用 1SPW 調(diào)制的橋接負(fù)載 (BTL) 配置曲線
      3. 5.7.3 采用 BD 調(diào)制的并行橋接負(fù)載 (PBTL) 配置
      4. 5.7.4 采用 1SPW 調(diào)制的并行橋接負(fù)載 (PBTL) 配置
8. 6 詳細(xì)說(shuō)明
   1. 6.1 概述
   2. 6.2 功能方框圖
   3. 6.3 特性說(shuō)明
      1. 6.3.1 電源
      2. 6.3.2 器件時(shí)鐘
      3. 6.3.3 串行音頻端口 – 時(shí)鐘速率
      4. 6.3.4 串行音頻端口 - 數(shù)據(jù)格式和位深度
      5. 6.3.5 時(shí)鐘暫停自動(dòng)恢復(fù)
      6. 6.3.6 采樣率動(dòng)態(tài)變化
      7. 6.3.7 數(shù)字音頻處理
      8. 6.3.8 D 類音頻放大器
         1. 6.3.8.1 揚(yáng)聲器放大器增益選擇
   4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 軟件控制
      2. 6.4.2 揚(yáng)聲器放大器工作模式
         1. 6.4.2.1 BTL 模式
         2. 6.4.2.2 PBTL 模式
      3. 6.4.3 低 EMI 模式
         1. 6.4.3.1 采用展頻技術(shù)更大限度地降低 EMI
         2. 6.4.3.2 通過(guò)通道間相移更大限度地降低 EMI
         3. 6.4.3.3 通過(guò)多器件 PWM 相位同步更大限度地降低 EMI
      4. 6.4.4 熱折返
      5. 6.4.5 器件狀態(tài)控制
      6. 6.4.6 器件調(diào)制
         1. 6.4.6.1 BD 調(diào)制
         2. 6.4.6.2 1SPW 調(diào)制
         3. 6.4.6.3 混合調(diào)制
      7. 6.4.7 Load Detect
         1. 6.4.7.1 短路負(fù)載檢測(cè)
         2. 6.4.7.2 開路負(fù)載檢測(cè)
   5. 6.5 編程和控制
      1. 6.5.1 I2C 串行通信總線
      2. 6.5.2 目標(biāo)地址
         1. 6.5.2.1 隨機(jī)寫入
         2. 6.5.2.2 隨機(jī)讀取
         3. 6.5.2.3 順序?qū)懭?/a>
         4. 6.5.2.4 順序讀取
         5. 6.5.2.5 DSP 存儲(chǔ)器 Book、Page 和 BQ 更新
         6. 6.5.2.6 使用示例
         7. 6.5.2.7 校驗(yàn)和
            1. 6.5.2.7.1 循環(huán)冗余校驗(yàn) (CRC) 校驗(yàn)和
            2. 6.5.2.7.2 異或 (XOR) 校驗(yàn)和
      3. 6.5.3 通過(guò)軟件進(jìn)行控制
         1. 6.5.3.1 啟動(dòng)過(guò)程
         2. 6.5.3.2 關(guān)斷過(guò)程
         3. 6.5.3.3 保護(hù)和監(jiān)控
            1. 6.5.3.3.1 過(guò)流關(guān)斷 (OCSD)
            2. 6.5.3.3.2 直流檢測(cè)
            3. 6.5.3.3.3 器件過(guò)熱保護(hù)
            4. 6.5.3.3.4 過(guò)壓保護(hù)
            5. 6.5.3.3.5 欠壓保護(hù)
            6. 6.5.3.3.6 時(shí)鐘故障
9. 7 寄存器映射
   1. 7.1 CONTROL PORT 寄存器
10. 8 應(yīng)用和實(shí)施
    1. 8.1 應(yīng)用信息
       1. 8.1.1 自舉電容器
       2. 8.1.2 電感器選型
       3. 8.1.3 電源去耦
       4. 8.1.4 輸出 EMI 濾波
    2. 8.2 典型應(yīng)用
       1. 8.2.1 2.0（立體聲 BTL）系統(tǒng)
          1. 8.2.1.1 設(shè)計(jì)要求
       2. 8.2.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過(guò)程
          1. 8.2.2.1 第 1 步：硬件完整性
          2. 8.2.2.2 第 2 步：揚(yáng)聲器調(diào)優(yōu)
          3. 8.2.2.3 第 3 步：軟件集成
       3. 8.2.3 單聲道 (PBTL) 系統(tǒng)
          1. 8.2.3.1 設(shè)計(jì)要求
       4. 8.2.4 高級(jí) 2.1 系統(tǒng)（兩個(gè) TAS5815 器件）
    3. 8.3 電源相關(guān)建議
       1. 8.3.1 DVDD 電源
       2. 8.3.2 PVDD 電源
    4. 8.4 布局
       1. 8.4.1 布局指南
          1. 8.4.1.1 音頻放大器通用指南
          2. 8.4.1.2 PVDD 網(wǎng)絡(luò)中 PVDD 旁路電容布置的重要性
          3. 8.4.1.3 優(yōu)化散熱性能
             1. 8.4.1.3.1 器件、覆銅和元件布局
             2. 8.4.1.3.2 模板圖案
                1. 8.4.1.3.2.1 PCB 尺寸和過(guò)孔排列
                2. 8.4.1.3.2.2 焊接模板
       2. 8.4.2 布局示例
11. 9 器件和文檔支持
    1. 9.1 器件支持
       1. 9.1.1 器件命名規(guī)則
    2. 9.2 支持資源
    3. 9.3 商標(biāo)
    4. 9.4 靜電放電警告
    5. 9.5 術(shù)語(yǔ)表
12. 10修訂歷史記錄
13. 11機(jī)械和封裝信息
    1. 11.1 封裝選項(xiàng)附錄
    2. 11.2 卷帶包裝信息