ZHCSXN6A December 2024 – January 2026 TAS5815
PRODUCTION DATA
立體聲 2.0 (BTL) 系統(tǒng)中對 TAS5815 器件支持元件的要求如表 8-3\ 和表 8-4 所示。
| 參考位號 | 值 | 尺寸 | 詳細描述 |
|---|---|---|---|
| C1、C2、C5、C6 | 22uF | 0805 | 電容，陶瓷，22μF，35V，+/-20%，JB，0805 |
| C3、C4 | 0.1μF | 0402 | 電容，陶瓷，0.1μF，50V，+/-10%，X7R，0402 |
| C7 | 4.7uF | 0603 | 電容，陶瓷，4.7μF，10V，+/-10%，X5R，0603 |
| C8 | 0.1uF | 0603 | 電容，陶瓷，0.1μF，16V，+/-10%，X7R，0603 |
| C9、C10 | 1uF | 0603 | 電容，陶瓷，1μF，16V，+/-10%，X5R，0603 |
| R1 | 4.70kΩ | 0402 | 電阻，4.70kΩ，1%，0.0625W，0402 |
| R2 | 10.0kΩ | 0404 | 電阻，10.0kΩ，1%，0.063W，0402 |
| C11、C12、C13、C14 | 0.22uF | 0603 | 電容，陶瓷，0.22μF，50V，+/-10%，X7R，0603 |
| C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23 | 2200pF | 0603 | 電容，陶瓷，2200pF，100V，+/-10%，X7R，0603 |
| R3、R4、R5、R6 | 68ohm | 0603 | 電阻，68Ω，5%，0.1W，0603 |
| L1、L2、L3、L4 | 300ohm | 0806 | 鐵氧體磁珠，300Ω（在 100MHz 時），3.1A，0806 |
| L5 | 100Ω | 0806 | 鐵氧體磁珠，100 歐姆（在 100MHz 時），4A，0806 |
借助低 EMI 技術，TAS5815 為使用鐵氧體磁珠時 PVDD < 14V 的大多數(shù)應用案例保持足夠的 EMI 裕度（低 BOM 成本）。使用鐵氧體磁珠和電容器作為輸出濾波器時，表 8-3 包含良好的配置（鐵氧體磁珠、電容器、電阻器的適當值），以實現(xiàn)足夠的 EMI 裕度，典型情況為 PVDD = 12V，揚聲器負載 = 8Ω/6Ω，每根揚聲器線長 1m，每條通道的輸出功率 = 1W/4W/8W。
| 參考位號 | 值 | 尺寸 | 詳細描述 |
|---|---|---|---|
| C1、C6 | 390μF | 10mmx10mm | 電容，鋁制，390μF，35V，±20%，0.08 歐姆，SMD |
| C2、C5 | 22μF | 0603 | 電容，陶瓷，22μF，35V，±20%，JB，0805 |
| C3、C4 | 0.1μF | 0402 | 電容，陶瓷，0.1μF，50V，±10%，X7R，0402 |
| C7 | 4.7μF | 0603 | 電容，陶瓷，4.7μF，10V，±10%，X5R，0603 |
| C8 | 0.1μF | 0603 | 電容，陶瓷，0.1μF，16V，±10%，X7R，0603 |
| C9、C10 | 1μF | 0603 | 電容，陶瓷，1μF，16V，±10%，X5R，0603 |
| R1 | 15.0kΩ | 0402 | 電阻，15.0kΩ，1%，0.0625W，0402 |
| R2 | 10.0kΩ | 0404 | 電阻，10.0kΩ，1%，0.063W，0402 |
| C11、C12、C13、C14 | 0.22μF | 0603 | 電容，陶瓷，0.22μF，50V，±10%，X7R，0603 |
| C15、C16、C17、C18 | 0.68μF | 0805 | 電容，陶瓷，0.68μF，50V，±10%，X7R，0805 |
| L1、L2、L3、L4 | 10μH | 電感器，屏蔽，10μH，4.4A，0.023Ω，SMD |
將電感器用作輸出濾波器時，設計人員可實現(xiàn)超低空閑電流（使用混合調(diào)制或 1SPW 調(diào)制）并保持較大的 EMI 裕量。TAS5815 的開關頻率可調(diào)范圍為 384kHz 至 768kHz。更高的開關頻率意味著需要更小的電感器值。