12 修訂歷史記錄
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (December 2025)to RevisionB (February 2026)
- 將最大值從 VCC +0.4V 更改為 6VGo
- 將 VIH 最大值從 VCC 更改為 5VGo
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (February 2025)to RevisionA (December 2025)
- 在數(shù)據(jù)表標(biāo)題中添加了“耐輻射”一詞Go
- 添加了 VID 編號Go
- 添加了 SET 表征報(bào)告可用性并將 SEL 更新為 50MeVGo
- 將數(shù)據(jù)表狀態(tài)從預(yù)告信息 更改為量產(chǎn)數(shù)據(jù)
Go
- 更改了封裝信息表中的 D (SOIC) 封裝尺寸Go
- 添加了總線引腳 ESD 等級Go
- 將 HBM ESD 從 2kV 更改為 4kVGo
- 將 CDM ESD 從 750V 更改為 1000VGo
- 將使能信號對應(yīng)的 ROC VIH 最大值更改為 VCCGo
- 將 VIT1 和 VIT2 從 50mV 更改為 90mVGo
- 將 TPHL 最大值從 8ns 更改為 8.5nsGo
- 將 TLH 最小值從 1.8ns 更改為 1.3ns，最大值從 7.5ns 更改為 8nsGo
- 將 td1 最大值從 11ns 更改為 16nsGo
- 將 td2 最大值從 2μs 更改為 2.5μs，并刪除了最小限值Go
- 將 tSK(p) 典型值從 200ns 更改為 500nsGo
- 將 tsk(o) 典型值從 150ns 更改為 130nsGo
- 將 TPHZ 最大值從 12ns 更改為 15nsGo
- 將應(yīng)用圖更改為 3.3V 電源，并添加了有關(guān) C1 和 C2 去耦電容器的更多詳細(xì)信息Go
- 添加了指向旁路電容建議部分的鏈接Go
- 添加了有關(guān)去耦電容器的更多信息Go
- 添加了有關(guān)對系統(tǒng)性能的影響的注釋Go
| 日期 |
修訂版本 |
注釋 |
|
February 2025
|
* |
初始發(fā)行版 |
All Revision History Changes Intro HTML , to , (from Revision ()to Revision ())
- 在數(shù)據(jù)表標(biāo)題中添加了“耐輻射”一詞Go
- 添加了 VID 編號Go
- 添加了 SET 表征報(bào)告可用性并將 SEL 更新為 50MeVGo
- 更改了封裝信息表中的 D (SOIC) 封裝尺寸Go
- Go
- 將最大值從 VCC +0.4V 更改為 6VGo
- 添加了總線引腳 ESD 等級Go
- 將 HBM ESD 從 2kV 更改為 4kVGo
- 將 CDM ESD 從 750V 更改為 1000VGo
- 將 VIH 最大值從 VCC 更改為 5VGo
- 將使能信號對應(yīng)的 ROC VIH 最大值更改為 VCCGo
- 將 VIT1 和 VIT2 從 50mV 更改為 90mVGo
- 將 TPHL 最大值從 8ns 更改為 8.5nsGo
- 將 TLH 最小值從 1.8ns 更改為 1.3ns，最大值從 7.5ns 更改為 8nsGo
- 將 td1 最大值從 11ns 更改為 16nsGo
- 將 td2 最大值從 2μs 更改為 2.5μs，并刪除了最小限值Go
- 將 tSK(p) 典型值從 200ns 更改為 500nsGo
- 將 tsk(o) 典型值從 150ns 更改為 130nsGo
- 將 TPHZ 最大值從 12ns 更改為 15nsGo
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- 將應(yīng)用圖更改為 3.3V 電源，并添加了有關(guān) C1 和 C2 去耦電容器的更多詳細(xì)信息Go
- 添加了指向旁路電容建議部分的鏈接Go
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- 添加了有關(guān)去耦電容器的更多信息Go
- 添加了有關(guān)對系統(tǒng)性能的影響的注釋Go
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- 刪除了相關(guān)文檔部分中的“評估 LVDS EVM (SLLA033)”要點(diǎn)Go
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