ZHCSQU5B May 2023 – November 2023 LP5868T
PRODUCTION DATA
| 最小值 | 標稱值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 其他時序要求 | |||||
| fOSC | 內(nèi)部振蕩器頻率 | 31.2 | MHz | ||
| fOSC_ERR | 器件間的振蕩器頻率誤差 | –3% | 3% | ||
| tPOR_H | 從 UVLO 停用到器件正常的等待時間 | 500 | μs | ||
| tCHIP_EN | 從設(shè)置 Chip_EN（寄存器）= 1 到器件正常的等待時間 | 100 | μs | ||
| tRISE | LED 輸出上升時間 | 10 | ns | ||
| tFALL | LED 輸出下降時間 | 15 | ns | ||
| tVSYNC_H | VSYNC 的最小高電平脈沖寬度 | 200 | μs | ||
| SPI 時序要求 | |||||
| fSCL | SPI 時鐘頻率 | 12 | MHz | ||
| 1 | 周期時間 | 83.3 | ns | ||
| 2 | SS 有效超前時間 | 50 | ns | ||
| 3 | SS 有效滯后時間 | 50 | ns | ||
| 4 | SS 無效時間 | 50 | ns | ||
| 5 | SCLK 低電平時間 | 36 | ns | ||
| 6 | SCLK 高電平時間 | 36 | ns | ||
| 7 | MOSI 建立時間 | 20 | ns | ||
| 8 | MOSI 保持時間 | 20 | ns | ||
| 9 | MISO 禁用時間 | 30 | ns | ||
| 10 | MISO 數(shù)據(jù)有效時間 | 35 | ns | ||
| Cb | 總線電容 | 5 | 40 | pF | |
| I2C 快速模式時序要求 | |||||
| fSCL | I2C 時鐘頻率 | 0 | 400 | KHz | |
| 1 | （重復(fù)）啟動條件后的保持時間 | 600 | ns | ||
| 2 | 時鐘低電平時間 | 1300 | ns | ||
| 3 | 時鐘高電平時間 | 600 | ns | ||
| 4 | 重復(fù)啟動條件的建立時間 | 600 | ns | ||
| 5 | 數(shù)據(jù)保持時間 | 0 | ns | ||
| 6 | 數(shù)據(jù)設(shè)置時間 | 100 | ns | ||
| 7 | SDA 和 SCL 的上升時間 | 300 | ns | ||
| 8 | SDA 和 SCL 的下降時間 | 300 | ns | ||
| 9 | 停止條件的建立時間 | 600 | ns | ||
| 10 | 停止和啟動條件之間的總線空閑時間 | 1.3 | μs | ||
| I2C 快速+ 模式時序要求 | |||||
| fSCL | I2C 時鐘頻率 | 0 | 1000 | KHz | |
| 1 | （重復(fù)）啟動條件后的保持時間 | 260 | ns | ||
| 2 | 時鐘低電平時間 | 500 | ns | ||
| 3 | 時鐘高電平時間 | 260 | ns | ||
| 4 | 重復(fù)啟動條件的建立時間 | 260 | ns | ||
| 5 | 數(shù)據(jù)保持時間 | 0 | ns | ||
| 6 | 數(shù)據(jù)設(shè)置時間 | 50 | ns | ||
| 7 | SDA 和 SCL 的上升時間 | 120 | ns | ||
| 8 | SDA 和 SCL 的下降時間 | 120 | ns | ||
| 9 | 停止條件的建立時間 | 260 | ns | ||
| 10 | 停止和啟動條件之間的總線空閑時間 | 0.5 | μs | ||