ZHCSQU6B May 2023 – November 2023 LP5866T
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RKP|40
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RKP|40
訂購(gòu)信息
6.7 典型特性
除非另有說(shuō)明，否則典型特性適用于整個(gè)環(huán)境溫度范圍（對(duì)于 LP5866TMRKPR、LP5864MRSMR 和 LP5866MDBTR，–55°C < TA < +125°C；對(duì)于其他器件，–40°C < TA < +85°C），VCC = 3.3V，VIO = 3.3V，VLED = 5V，ILED_Peak = 50mA，CVLED = 1μF，CVCC = 1μF。
圖 6-3 VCC UVLO 上升和下降閾值
圖 6-5 VSAT 與溫度間的關(guān)系
圖 6-7 VSAT 與電流阱間的關(guān)系 (50mA)
圖 6-9 VSAT 與電流阱間的關(guān)系 (10mA)
圖 6-11 高側(cè)開(kāi)關(guān) RDSON
圖 6-4 VCC UVLO 遲滯
圖 6-6 VSAT 與電流阱間的關(guān)系 (100mA)
圖 6-8 VSAT 與電流阱間的關(guān)系 (30mA)
| TA = 25°C | ||