ZHCSLR8B june 2021 – april 2023 JFE150
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Parameter Measurement Information
- 8 Detailed Description
- 9 Application and Implementation
- 10Device and Documentation Support
- 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
3 說明
JFE150 是使用德州儀器 (TI) 的現(xiàn)代高性能模擬雙極工藝構(gòu)建的 Burr-Brown? 分立式 JFET。JFE150 具有以前較舊的分立式 JFET 技術(shù)所不具備的性能。JFE150 提供出色的噪聲功率效率和靈活性，靜態(tài)電流可由用戶設(shè)置，并為 50μA 至 20mA 的電流提供出色的噪聲性能。當(dāng)偏置電流為 5mA 時，該器件會產(chǎn)生 0.8nV/√Hz 的輸入?yún)⒖荚肼暎瑥亩詷O高的輸入阻抗 (> 1TΩ) 提供超低噪聲性能。JFE150 還具有連接到獨立鉗位節(jié)點的集成二極管，無需添加高泄漏、非線性外部二極管即可提供保護。
JFE150 可承受 40V 的高漏源電壓，以及低至 –40V 的柵源電壓和柵漏電壓。該器件額定工作溫度范圍為 –40°C 至 + 125°C，并采用 5 引腳 SOT-23 和 SC70 封裝。
封裝信息
| 器件型號 | 封裝(1) | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| JFE150 | DBV（SOT-23，5) | 2.90mm × 1.60mm |
| DCK（SC70，5） | 2.00mm × 1.25mm |
(1) 如需了解所有可用封裝，請參閱數(shù)據(jù)表末尾的封裝選項附錄。
器件概要
| 參數(shù) | 值 | |
|---|---|---|
| VGSS | 柵源擊穿電壓 | -40 V |
| VDSS | 漏源擊穿電壓 | ±40V |
| CISS | 輸入電容 | 24pF |
| TJ | 結(jié)溫 | –40°C 至 +125°C |
| IDSS | 漏源飽和電流 | 35mA |
功能方框圖
超低輸入電壓噪聲