ZHCSYW8 September 2025 ISOTMP35R
ADVANCE INFORMATION
雖然濾波器設(shè)計(jì)取決于系統(tǒng)級噪聲源,但建議采用以下做法:
將 0.1μF 旁路電容器盡可能靠近 ISOTMP35RVDD 引腳布置。此電容器是實(shí)現(xiàn)出色運(yùn)行所必需的,即使在使用額外濾波器時(shí)也應(yīng)始終存在。
使用 C0G/NP0 電容器進(jìn)行信號路徑濾波,并將 SMT 封裝尺寸限制為 0603 或更小,以便最大程度減少寄生效應(yīng)。
選擇鐵氧體磁珠進(jìn)行高頻濾波時(shí),請確保 DCR < 1Ω 以避免壓降,壓降可能在 VDD 上引入額外的噪聲。
使用低 ESR 電容器,這些電容器提供低阻抗接地路徑并改善高頻噪聲抑制性能。