ZHCSY02A March 2025 – December 2025 DRV8001-Q1
PRODUCTION DATA
使用低 ESR 陶瓷旁路電容器 CPVDD1 將 PVDD 引腳旁路至 GND 引腳。將該電容器放置在盡可能靠近 PVDD 引腳的位置，并通過較寬的引線或通過接地平面連接到 GND 引腳。此外，使用額定電壓為 PVDD 的大容量電容器 CPVDD2 旁路 PVDD 引腳。該元件可以是電解電容器。其容值必須至少為 10μF?？梢越邮茉撾娙菖c外部功率 MOSFET 的大容量電容共享。
使用 CDVDD 將 DVDD 引腳旁路至 DGND 引腳。將此電容器盡可能靠近引腳放置，并盡量縮短從電容器到 DGND 引腳的路徑。如果這些電源上已經(jīng)存在靠近器件的本地旁路電容器以更大限度地減少噪聲，則無需為 DVDD 使用這些額外元件。
對(duì)于 EC 驅(qū)動(dòng)器，將 CECDRV 和 CECFB 旁路電容器盡可能靠近各自的引腳放置，并連接到 GND。