ZHCSYH1A June 2025 – December 2025 AFE10004-EP
PRODUCTION DATA
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在耗盡模式 FET 中,當在柵極和源極端子之間施加負電壓時,通道內(nèi)會形成載波耗盡區(qū)域,從而限制電流流動。在沒有負柵極偏置電壓的情況下,通道完全打開,最大電流可以從漏極流向源極,這可能因電過應力而迅速損壞器件。當柵極偏置電壓變?yōu)楦撝禃r,器件會達到夾斷狀態(tài),此時所有漏源電流都受到限制,F(xiàn)ET 實際上處于關(guān)斷狀態(tài)。