ZHCSYH1A June 2025 – December 2025 AFE10004-EP
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
本器件提供了將器件配置(第 1 頁)、CLAMP 覆蓋值(第 2 頁)、LUT 值(第 4 和第 5 頁)和記事本(第 15 頁)存儲(chǔ)在 EEPROM 中的選項(xiàng)(請(qǐng)參閱 圖 6-14)。將數(shù)據(jù)從操作存儲(chǔ)器移動(dòng)到 EEPROM(刻錄)的操作是通過將程序代碼 0xE4 寫入第 15 頁的 EEPROM 刻錄寄存器啟動(dòng)的。
請(qǐng)確保在訪問 EEPROM 之前禁用 LUT。
EEPROM 刻錄序列要求在第 1 頁和第 2 頁之前配置第 4 頁、第 5 頁和第 15 頁。所有頁面中的寄存器完成配置后,可通過發(fā)出編程代碼來啟動(dòng) EEPROM 刻錄命令。EEPROM 刻錄序列大約需要 130ms 才能完成。EERDY 位會(huì)提供 EEPROM 刻錄狀態(tài)。
請(qǐng)避免在 EEPROM 刻錄序列期間執(zhí)行復(fù)位事件,因?yàn)槠浣Y(jié)果不可預(yù)測(cè)。
啟動(dòng)后,器件會(huì)自動(dòng)將 EEPROM 數(shù)據(jù)加載到操作存儲(chǔ)器。EEPROM 加載序列大約需要 5ms 才能完成。
要在加載 EEPROM 后將器件中的所有寄存器恢復(fù)為出廠默認(rèn)設(shè)置,請(qǐng)將寄存器清除代碼 (0xAD) 寫入軟件復(fù)位寄存器。寄存器清除序列大約需要 15μs 才能完成。表 6-9 總結(jié)了兩個(gè) EEPROM 訪問操作。
| EEPROM 訪問 | 串行接口操作 | PAGE | 寄存器 | DATA | 注釋 |
|---|---|---|---|---|---|
| LOAD | 不適用 | 不適用 | 不適用 | 不適用 | 復(fù)位事件后,從 EEPROM 到操作存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)傳輸將會(huì)自動(dòng)完成。 |
| 刻錄 | 寫入 | 15 | EEPROM 刻錄寄存器 | 0xE4 | 將數(shù)據(jù)從操作存儲(chǔ)器傳輸?shù)?EEPROM。 |
