UCC27201A-DIE
- 驅動兩個
高端/低端配置的 N 通道金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) - 最大引導電壓
- 最大 VDD 電壓
- 片載 RD 自舉二極管
- 針對高側和
低側驅動器的欠壓閉鎖
UCC27201A 是一款系列高頻 N 通道 MOSFET 驅動器,此驅動器包括一個自舉二極管和具有旨在實現(xiàn)最大的控制靈活性具有獨立輸入的
高側/低側驅動器。 這可在半橋式、全橋式、兩開關正激式和有源鉗位正激式轉換器中實現(xiàn) N 通道 MOSFET 控制。 低側和高側柵極驅動器是獨立控制的,并在彼此的接通和關斷之間實現(xiàn)了至 1ns 的匹配。 UCC27201A 基于廣泛使用的 UCC27201 驅動器,但進行了一些改進。 為了提升嘈雜電源環(huán)境中的性能,UCC27201A 運用了一種增強型 ESD 輸入結構,而且能夠在其 HS 引腳上耐受 -18V (最大值) 的電壓。
技術文檔
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查看全部 8 | 頂層文檔 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據表 | 高效、高側/低側驅動器 數(shù)據表 | 英語版 | PDF | HTML | 2012年 9月 19日 | |
| 應用手冊 | 使用半橋柵極驅動器實現(xiàn)高側 FET 的 100% 占空比 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 3月 26日 | |
| 應用手冊 | 針對半橋配置的自舉電路選擇 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023年 9月 14日 | |
| 應用手冊 | 比較分析兩種不同的可提高柵極驅動電流的方法 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022年 4月 1日 | |
| 應用手冊 | Implementing High-Side Switches Using Half-Bridge Gate Drivers for 48-V Battery. | 2020年 5月 12日 | ||||
| 應用簡報 | 適用于柵極驅動器的外部柵極電阻器設計指南 (Rev. A) | 英語版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 更多文獻資料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 更多文獻資料 | MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理 | 最新英語版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
設計與開發(fā)
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計算工具
UCC272xx-UCC273xx Schematic Review Template
模擬工具
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