LMG3100R017
- 集成式 1.7mΩ (LMG3100R017) 或 4.4mΩ (LMG3100R044) GaN FET 和驅(qū)動器
- 100V 連續(xù) 120V 脈沖式電壓額定值
- 集成了高側(cè)電平轉(zhuǎn)換和自舉
- 兩個 LMG3100 可構(gòu)成一個半橋
- 無需外部電平轉(zhuǎn)換器
- 5V 外部輔助電源
- 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
- 高壓擺率開關(guān)，低振鈴
- 柵極驅(qū)動器支持高達 10MHz 的開關(guān)頻率
- 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位，可防止 GaN FET 過驅(qū)動
- 電源軌欠壓鎖定保護
- 低功耗
- 封裝經(jīng)過優(yōu)化，便于 PCB 布局
- 外露式頂部 QFN 封裝，實現(xiàn)頂面散熱
- 底部大型外露焊盤，實現(xiàn)底面散熱
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù)、120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds (on) 和最大電流型號，即 126A/1.7mΩ (LMG3100R017) 和 46A/4.4mΩ (LMG3100R044)。該器件包含一個由高頻 GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動的 100V GaN FET。LMG3100 包含一個高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉電路，因此兩個 LMG3100 器件可用于形成半橋，而無需額外的電平轉(zhuǎn)換器。
GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢極為顯著，因為它們的反向恢復(fù)為零，而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。驅(qū)動器和 GaN FET 均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數(shù)。LMG3100 器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
無論 VCC 電壓如何，TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓鉗位技術(shù)確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內(nèi)。
該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運行的應(yīng)用來說，該器件是理想的解決方案。
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查看全部 4 | 頂層文檔 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | LMG3100R017 (126A)、LMG3100R044 (46A) 具有集成驅(qū)動器的 100V GaN FET 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2025年 3月 26日 |
| 技術(shù)文章 | GaN 可推動電子設(shè)計轉(zhuǎn)型的 4 種中電壓應(yīng)用 | PDF | HTML | 2024年 2月 20日 | |||
| 技術(shù)文章 | GaN 將革新四種中壓應(yīng)用的電子設(shè)計 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 2月 20日 | |
| 技術(shù)文章 | GaN? ?? ??? ???? 4?? ??? ?????? | PDF | HTML | 2024年 2月 20日 |
設(shè)計與開發(fā)
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評估板
LMG3100EVM-089 — LMG3100 評估模塊
LMG3100 評估模塊 (EVM) 是一款具有外部 PWM 信號的緊湊且易于使用的功率級。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓撲。該 EVM 具有兩個 LMG3100 電源模塊，每個模塊均配有一個帶集成驅(qū)動器的 100V 1.7mΩ GaN FET。
參考設(shè)計
TIDA-050089 — 支持 GaN 的 48V–12V 1.1kW 兩相降壓轉(zhuǎn)換器、1/4 磚型電源模塊參考設(shè)計
此參考設(shè)計是一款基于兩相降壓轉(zhuǎn)換器、適用于企業(yè)計算的 1.1kW、高密度 48V 至 12V 閉環(huán)總線轉(zhuǎn)換器。此設(shè)計可實現(xiàn)大約 98% 的峰值效率。此設(shè)計采用 TI 的一款高性能氮化鎵 (GaN) 功率級器件 LMG3100R017?？刂齐娐肥褂?UCD3138A，這是一款采用 40 引腳四方扁平無歪伸引腳 (QFN) 封裝的高性能微控制器。
設(shè)計指南: PDF
參考設(shè)計
TIDA-050095 — 支持 GaN 的 48V–12V 2kW 四相降壓轉(zhuǎn)換器、1/4 磚型電源模塊參考設(shè)計
此參考設(shè)計是一款基于四相降壓轉(zhuǎn)換器、適用于企業(yè)計算的 2kW、高密度 48V 至 12V 閉環(huán)總線轉(zhuǎn)換器。該設(shè)計在 48V VIN 下可實現(xiàn)高于 98% 的峰值效率和 97.5% 的滿載效率。此設(shè)計采用 TI 的一款高性能氮化鎵 (GaN) 功率級器件 LMG3100R017?？刂齐娐肥褂?UCD3138A，這是一款采用 40 引腳四方扁平無歪伸引腳 (QFN) 封裝的高性能微控制器。
設(shè)計指南: PDF
參考設(shè)計
TIDA-010276 — 適用于 BLDC 電機控制的 36V、50A 三相 GaN 逆變器參考設(shè)計
此設(shè)計展示了一個 36V、50A 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級，用于驅(qū)動由 5 節(jié)鋰離子電池到 10 節(jié)電池組供電的無繩工具中的三相無刷直流電機。此參考設(shè)計使用搭載集成式 GaN-FET 驅(qū)動器的 LMG3100R017 GaN FET，助力提高電機控制系統(tǒng)的效率和性能。此外，該設(shè)計提供與 TI BoosterPack? 插件模塊兼容的 3.3V I/O 接口，用于連接 C2000? MCU LaunchPad? 或 MSPM0 MCU LaunchPad 開發(fā)套件，以便快速輕松地評估我司 GaN 技術(shù)。
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參考設(shè)計
PMP23547 — 基于 GaN 的 8kW 三相圖騰柱功率因數(shù)校正和三相 LLC 參考設(shè)計
該參考設(shè)計為高密度、高效率的 8kW 電源。第一級是三角導(dǎo)通模式 (TCM) 功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器，后跟一個與 Δ-Δ 連接的三相電感器-電感器-電容器 (LLC) 轉(zhuǎn)換器。這兩個功率級均采用 TI 高性能氮化鎵 (GaN) 電源開關(guān)實現(xiàn)。該 PFC 在基于零電流檢測 (ZCD) 的控制機制中采用三相圖騰柱 PFC。該控制方法可以變頻運行，并在整體運行條件下保持零電壓開關(guān) (ZVS)。該控制通過 TMS320F280039C 高性能微控制器和集成了 ZCD 感測功能的 LMG3527R030 GaN 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實現(xiàn)。轉(zhuǎn)換器的工作頻率范圍約介于 70kHz 和 (...)
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參考設(shè)計
PMP23392 — 適用于 48V 汽車應(yīng)用且使用 GaN FET 的雙相降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計
此參考設(shè)計采用兩個 LM5148-Q1 單相同步降壓控制器和四個 LMG3100R017 GaN FET，配置為一個雙相交錯同步降壓轉(zhuǎn)換器。該轉(zhuǎn)換器生成 5V 穩(wěn)壓輸出，能夠向負載提供 30A 標稱電流，峰值電流能力為 60A，可接受 24Vin 至 60Vin（標稱值為 48Vin）的輸入電壓。該設(shè)計基于 6 層 PCB 構(gòu)建，6 層中的每層各覆有 2 盎司銅。評估板的尺寸為 5.0” x 3.4” (127.00mm x 86.36mm)，但轉(zhuǎn)換器解決方案的實際尺寸約為 53.5mm x (...)
測試報告: PDF
參考設(shè)計
TIDA-010090 — 4 通道 50A 數(shù)字控制電池測試儀參考設(shè)計
該參考設(shè)計介紹了一種使用 C2000? 實時微控制器 (MCU) 和精密模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) ADS8588S 來控制雙向降壓轉(zhuǎn)換器功率級的電流和電壓的方法。此設(shè)計利用 C2000 MCU 的高分辨率脈寬調(diào)制 (PWM) 生成外設(shè)，實現(xiàn)了低于 ±10mA 的電流調(diào)節(jié)誤差和低于 ±1mV 的電壓調(diào)節(jié)誤差。
設(shè)計指南: PDF
參考設(shè)計
PMP23421 — 多相四開關(guān)降壓/升壓直流/直流轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計
此參考設(shè)計是一款基于氮化鎵 (GaN) 的數(shù)字控制四開關(guān)降壓/升壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，用于電池備份 (BBU) 應(yīng)用。此設(shè)計共有七個相位。其中，六個相位并聯(lián)，用于實現(xiàn)電池放電操作，可提供高達 8.1kW 的放電功率；第七相位階段用于電池充電操作。該轉(zhuǎn)換器可根據(jù) VIN 和 VOUT 電壓在降壓、降壓/升壓或升壓模式下工作，并在每種模式之間平穩(wěn)轉(zhuǎn)換。
測試報告: PDF
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBE) | 15 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。