LM7480-Q1
- 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
- 器件溫度等級 1: –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 2
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 3V 至 65V 輸入范圍
- 反向輸入保護(hù)低至 –65V
- 在共漏極和共源極配置下,可驅(qū)動外部背對背 N 溝道 MOSFET
- 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下,理想二極管正常運(yùn)行 (LM74800-Q1)
- 低反向檢測閾值 (–4.5mV),能夠快速響應(yīng) (0.5μs)
- 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
- 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
- 可調(diào)節(jié)過壓保護(hù)
- 2.87μA 低關(guān)斷電流(EN/UVLO = 低電平)
- 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
- 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝
LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管,以實現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下,該器件允許負(fù)載斷開(開/關(guān)控制)并使用 HGATE 控制提供過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)功能。LM7480-Q1 有兩種型號:LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用線性穩(wěn)壓和比較器方案來實現(xiàn)反向電流阻斷功能,而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置,可以使用另一個理想二極管將中點(diǎn)用于 OR-ing 設(shè)計。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓?fù)渲袨槠骷渲猛獠?MOSFET,可以保護(hù)負(fù)載免受過壓瞬態(tài)(例如 24V 電池系統(tǒng)中未抑制的 200V 負(fù)載突降)的影響。
技術(shù)文檔
設(shè)計與開發(fā)
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LM74800EVM-CD — LM74800-Q1 理想二極管控制器評估模塊
TI 的評估模塊 LM74800EVM-CD 可幫助設(shè)計人員評估 LM7480-Q1 理想二極管控制器(LM74800QDRR 和 LM74801QDRR)在反向電池保護(hù)應(yīng)用中的運(yùn)行情況和性能。此評估模塊演示 LM7480-Q1 如何控制兩個背對背 N 溝道功率 MOSFET,首先連接理想二極管 MOSFET,之后連接第二個 MOSFET 以實現(xiàn)開關(guān)輸出和電源路徑切斷。
LM74800EVM-CS — LM7480-Q1 理想二極管控制器評估模塊
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