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LM7480-Q1

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用于驅(qū)動背對背 NFET 的 3V 至 65V、汽車?yán)硐攵O管控制器

產(chǎn)品詳情

Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 2 Rating Automotive Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 TI functional safety category Functional Safety-Capable IGate source (typ) (μA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
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WSON (DRR) 12 9 mm2 3 x 3
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
    • 器件溫度等級 1: –40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 反向輸入保護(hù)低至 –65V
  • 在共漏極和共源極配置下,可驅(qū)動外部背對背 N 溝道 MOSFET
  • 10.5mV 陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)下,理想二極管正常運(yùn)行 (LM74800-Q1)
  • 低反向檢測閾值 (–4.5mV),能夠快速響應(yīng) (0.5μs)
  • 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 可調(diào)節(jié)過壓保護(hù)
  • 2.87μA 低關(guān)斷電流(EN/UVLO = 低電平)
  • 采用合適的 TVS 二極管,符合汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的 12 引腳 WSON 封裝
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LM7480x-Q1 理想二極管控制器可驅(qū)動和控制外部背對背 N 溝道 MOSFET,從而模擬具有電源路徑開/關(guān)控制和過壓保護(hù)的理想二極管整流器。3V 至 65V 的寬輸入電源電壓可保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車類電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65V 的負(fù)電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 可驅(qū)動第一個 MOSFET 來代替肖特基二極管,以實現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。在電源路徑中使用了第二個 MOSFET 的情況下,該器件允許負(fù)載斷開(開/關(guān)控制)并使用 HGATE 控制提供過壓保護(hù)。該器件具有可調(diào)節(jié)過壓切斷保護(hù)功能。LM7480-Q1 有兩種型號:LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用線性穩(wěn)壓和比較器方案來實現(xiàn)反向電流阻斷功能,而 LM74801-Q1 支持基于比較器的方案。通過功率 MOSFET 的共漏極配置,可以使用另一個理想二極管將中點(diǎn)用于 OR-ing 設(shè)計。LM7480x-Q1 的最大額定電壓為 65V。通過在共源極拓?fù)渲袨槠骷渲猛獠?MOSFET,可以保護(hù)負(fù)載免受過壓瞬態(tài)(例如 24V 電池系統(tǒng)中未抑制的 200V 負(fù)載突降)的影響。

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設(shè)計與開發(fā)

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