DRV8340-Q1

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汽車類 12V 至 24V 三相智能柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 5.5 Vs ABS (max) (V) 65 Features Hardware Management I/F, Independent FET Control, SPI/I2C, Smart Gate Drive Operating temperature range (°C) -40 to 125
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HTQFP (PHP) 48 81 mm2 9 x 9
  • 具有符合面向汽車 標(biāo)準(zhǔn)
    • 溫度等級 1:-40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 3 個獨立半橋柵極驅(qū)動器
    • 專用源極 (SHx) 與漏極 (DLx) 引腳支持獨立 MOSFET 控制
    • 可驅(qū)動 3 個高側(cè)和 3 個低側(cè) N 通道 MOSFET (NMOS)
  • 智能柵極驅(qū)動架構(gòu)
    • 可調(diào)轉(zhuǎn)換率控制
    • 1.5mA 至 1A 峰值源電流
    • 3mA 至 2A 峰值灌電流
  • 支持 100% 占空比的柵極驅(qū)動器電荷泵
  • 提供 SPI (S) 和硬件 (H) 接口
  • 6x、3x、1x 和獨立的 PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入
  • 電荷泵輸出可驅(qū)動反向電源保護(hù) MOSFET
  • 3.3V、30mA 線性穩(wěn)壓器
  • 集成式保護(hù) 特性
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 電荷泵欠壓 (CPUV)
    • 電池短路 (SHT_BAT)
    • 接地短路 (SHT_GND)
    • MOSFET 過流保護(hù) (OCP)
    • 柵極驅(qū)動器故障 (GDF)
    • 熱警告和熱關(guān)斷 (OTW/OTSD)
    • 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)
  • 具有符合面向汽車 標(biāo)準(zhǔn)
    • 溫度等級 1:-40°C ≤ TA ≤ 125°C
  • 3 個獨立半橋柵極驅(qū)動器
    • 專用源極 (SHx) 與漏極 (DLx) 引腳支持獨立 MOSFET 控制
    • 可驅(qū)動 3 個高側(cè)和 3 個低側(cè) N 通道 MOSFET (NMOS)
  • 智能柵極驅(qū)動架構(gòu)
    • 可調(diào)轉(zhuǎn)換率控制
    • 1.5mA 至 1A 峰值源電流
    • 3mA 至 2A 峰值灌電流
  • 支持 100% 占空比的柵極驅(qū)動器電荷泵
  • 提供 SPI (S) 和硬件 (H) 接口
  • 6x、3x、1x 和獨立的 PWM 模式
  • 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入
  • 電荷泵輸出可驅(qū)動反向電源保護(hù) MOSFET
  • 3.3V、30mA 線性穩(wěn)壓器
  • 集成式保護(hù) 特性
    • VM 欠壓鎖定 (UVLO)
    • 電荷泵欠壓 (CPUV)
    • 電池短路 (SHT_BAT)
    • 接地短路 (SHT_GND)
    • MOSFET 過流保護(hù) (OCP)
    • 柵極驅(qū)動器故障 (GDF)
    • 熱警告和熱關(guān)斷 (OTW/OTSD)
    • 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)

DRV8340-Q1 器件是一款適用于三相應(yīng)用的 集成式柵極驅(qū)動器。此器件具有三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。專用源極與漏極引腳支持對電磁閥應(yīng)用進(jìn)行獨立 MOSFET 控制。DRV8340-Q1 使用集成式電荷泵為高側(cè) MOSFET 生成足夠的柵極驅(qū)動電壓,并使用線性穩(wěn)壓器為低側(cè) MOSFET 生成足夠的柵極驅(qū)動電壓。此智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 1A 的峰值柵極驅(qū)動拉電流和 2A 的峰值柵極驅(qū)動灌電流。DRV8340-Q1 可由單一電源供電,支持適用于柵極驅(qū)動器的 5.5 至 60V 寬輸入電源電壓范圍。

6x、3x、1x 和獨立輸入 PWM 模式可簡化與控制器電路的連接。柵極驅(qū)動器和器件的配置設(shè)置具有高度可配置性,可通過 SPI 或硬件 (H/W) 接口實現(xiàn)。

提供了低功耗睡眠模式,實現(xiàn)較低的靜態(tài)電流消耗。針對欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET 過流、MOSFET 短路、相位節(jié)點電源和接地短路、柵極驅(qū)動器故障和過熱情況提供內(nèi)部保護(hù)功能。故障狀況及故障詳情可通過 SPI 器件型號的器件寄存器顯示在 nFAULT 引腳上。

DRV8340-Q1 器件是一款適用于三相應(yīng)用的 集成式柵極驅(qū)動器。此器件具有三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。專用源極與漏極引腳支持對電磁閥應(yīng)用進(jìn)行獨立 MOSFET 控制。DRV8340-Q1 使用集成式電荷泵為高側(cè) MOSFET 生成足夠的柵極驅(qū)動電壓,并使用線性穩(wěn)壓器為低側(cè) MOSFET 生成足夠的柵極驅(qū)動電壓。此智能柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達(dá) 1A 的峰值柵極驅(qū)動拉電流和 2A 的峰值柵極驅(qū)動灌電流。DRV8340-Q1 可由單一電源供電,支持適用于柵極驅(qū)動器的 5.5 至 60V 寬輸入電源電壓范圍。

6x、3x、1x 和獨立輸入 PWM 模式可簡化與控制器電路的連接。柵極驅(qū)動器和器件的配置設(shè)置具有高度可配置性,可通過 SPI 或硬件 (H/W) 接口實現(xiàn)。

提供了低功耗睡眠模式,實現(xiàn)較低的靜態(tài)電流消耗。針對欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET 過流、MOSFET 短路、相位節(jié)點電源和接地短路、柵極驅(qū)動器故障和過熱情況提供內(nèi)部保護(hù)功能。故障狀況及故障詳情可通過 SPI 器件型號的器件寄存器顯示在 nFAULT 引腳上。

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* 數(shù)據(jù)表 DRV8340-Q1 12V/24V 汽車柵極驅(qū)動器單元 (GDU),帶有獨立半橋控制裝置 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2019年 6月 3日
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設(shè)計與開發(fā)

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評估板

DRV8343H-Q1EVM — DRV8343H-Q1 汽車類三相電機(jī)智能柵極驅(qū)動器評估模塊

DRV8343H-Q1EVM 評估模塊是一個高度可配置的 6V 至 60V、20A 評估平臺,用于評估三相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)的控制與驅(qū)動性能,專為基于 DRV8343H-Q1 汽車智能柵極驅(qū)動器的 12V 至 24V 汽車系統(tǒng)而設(shè)計。? 該 EVM 具有板載反向電池保護(hù)、穩(wěn)壓 3.3V 電源 LDO、MSP430 微控制器和 CSD18540Q5B NexFET 功率 MOSFET。
用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
評估板

DRV8343S-Q1EVM — DRV8343S-Q1 汽車類三相電機(jī)智能柵極驅(qū)動器評估模塊

DRV8343S-Q1EVM 評估模塊是一個高度可配置的 6V 至 60V、20A 評估平臺,用于評估三相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)的控制與驅(qū)動性能,專為基于 DRV8343S-Q1 汽車智能柵極驅(qū)動器的 12V 至 24V 汽車系統(tǒng)而設(shè)計。? 該 EVM 具有板載反向電池保護(hù)、穩(wěn)壓 3.3V 電源 LDO、MSP430 微控制器和 CSD18540Q5B NexFET 功率 MOSFET。
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仿真模型

DRV834XQ1 PSPICE Model

SLVMD44.ZIP (246 KB) - PSpice Model
計算工具

BLDC-MAX-QG-MOSFET-CALCULATOR Calculate the maximum QG MOSFET for your motor driver

Calculate the maximum QG MOSFET that can be driven based on the PWM switching frequency, algorithm type, and additional external capacitance.
支持的產(chǎn)品和硬件

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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
HTQFP (PHP) 48 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
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  • 封裝廠地點

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