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CSD95410RRB

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90A 峰值連續(xù)同步降壓 NexFET? 智能功率級(jí)

產(chǎn)品詳情

Rating Catalog VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Features Analog temperature output, Catastrophic over-current protection, Cycle-by-cycle over-current protection, Diode emulation mode with FCCM, Industry common footprint, Integrated current sense, Integrated ringing reduction, Negative over-current protection, Powerstack vertical FET integration, Ultra-low inductance package Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Features Analog temperature output, Catastrophic over-current protection, Cycle-by-cycle over-current protection, Diode emulation mode with FCCM, Industry common footprint, Integrated current sense, Integrated ringing reduction, Negative over-current protection, Powerstack vertical FET integration, Ultra-low inductance package Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN-CLIP (RRB) 41 30 mm2 6 x 5
  • 90A 峰值持續(xù)電流
  • 30A 電流下系統(tǒng)效率超過(guò) 95%
  • 工作頻率高(高達(dá) 1.75 MHz)
  • 二極管仿真功能
  • 溫度補(bǔ)償雙向電流檢測(cè)
  • 模擬溫度輸出
  • 故障監(jiān)控
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號(hào)
  • 三態(tài) PWM 輸入
  • 集成自舉開(kāi)關(guān)
  • 優(yōu)化了擊穿保護(hù)死區(qū)時(shí)間
  • 高密度行業(yè)通用 5mm × 6mm QFN 封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)已優(yōu)化的 PCB 空間占用
  • 耐熱增強(qiáng)型頂部散熱
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)、無(wú)鉛端子鍍層
  • 無(wú)鹵素
  • 90A 峰值持續(xù)電流
  • 30A 電流下系統(tǒng)效率超過(guò) 95%
  • 工作頻率高(高達(dá) 1.75 MHz)
  • 二極管仿真功能
  • 溫度補(bǔ)償雙向電流檢測(cè)
  • 模擬溫度輸出
  • 故障監(jiān)控
  • 兼容 3.3V 和 5V PWM 信號(hào)
  • 三態(tài) PWM 輸入
  • 集成自舉開(kāi)關(guān)
  • 優(yōu)化了擊穿保護(hù)死區(qū)時(shí)間
  • 高密度行業(yè)通用 5mm × 6mm QFN 封裝
  • 超低電感封裝
  • 系統(tǒng)已優(yōu)化的 PCB 空間占用
  • 耐熱增強(qiáng)型頂部散熱
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)、無(wú)鉛端子鍍層
  • 無(wú)鹵素

CSD95410NexFET™ 功率級(jí)是經(jīng)過(guò)高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。此產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率 MOSFET 以實(shí)現(xiàn)功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。該組合采用 5mm × 6mm 小型封裝,可實(shí)現(xiàn)高電流、高效率以及高速切換功能。它還集成了準(zhǔn)確電流檢測(cè)和溫度感測(cè)功能,以簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高準(zhǔn)確度。此外,已對(duì) PCB 封裝進(jìn)行了優(yōu)化以幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并簡(jiǎn)化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。

CSD95410NexFET™ 功率級(jí)是經(jīng)過(guò)高度優(yōu)化的設(shè)計(jì),用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。此產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器 IC 和功率 MOSFET 以實(shí)現(xiàn)功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。該組合采用 5mm × 6mm 小型封裝,可實(shí)現(xiàn)高電流、高效率以及高速切換功能。它還集成了準(zhǔn)確電流檢測(cè)和溫度感測(cè)功能,以簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高準(zhǔn)確度。此外,已對(duì) PCB 封裝進(jìn)行了優(yōu)化以幫助減少設(shè)計(jì)時(shí)間并簡(jiǎn)化總體系統(tǒng)設(shè)計(jì)的完成。

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* 數(shù)據(jù)表 CSD95410 同步降壓 NexFET 智能功率級(jí) 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2023年 5月 5日

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TIDA-010241 — 高性能 Xilinx? 和 Intel? FPGA 平臺(tái)的靈活電源參考設(shè)計(jì)

隨著現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA) 的處理能力不斷提高,電源軌的數(shù)量不斷增加,對(duì)于每個(gè)軌的要求也越來(lái)越嚴(yán)格。為了滿足這些要求,需要使用電源管理 IC (PMIC) 和控制器為所有電源軌供電,并實(shí)現(xiàn)時(shí)序控制和緊湊外形。
設(shè)計(jì)指南: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
VQFN-CLIP (RRB) 41 Ultra Librarian

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包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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