大功率半導(dǎo)體選型現(xiàn)狀

以前，硅基功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)一直是并且仍然是大功率應(yīng)用設(shè)計(jì)人員的主要選擇，他們通常根據(jù)電壓和功率等級(jí)進(jìn)行選型。圖 1 根據(jù)高壓應(yīng)用的電壓要求，展示了兩種常用的硅基功率半導(dǎo)體：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。

總線電壓需高于 400V 的應(yīng)用（例如 EV、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和串式逆變器 [2]、[3]）需要具備 650V 以上電壓等級(jí)的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。此外，此類應(yīng)用是幾千瓦到 1MW 的高功率解決方案。

目前，您可將 IGBT 用作最高 1,200V 的電力電子開(kāi)關(guān)管。一些應(yīng)用的電壓甚至越來(lái)越高，其中電流等級(jí)和傳導(dǎo)損耗會(huì)降低。其中一些應(yīng)用的電壓為 1,200V 至 1,700V，例如多相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。