ZHCY127C january 2023 – april 2023 LMQ61460-Q1 , TPS54319 , TPS62088 , TPS82671 , UCC12040 , UCC12050
在降壓轉(zhuǎn)換器中,當(dāng)高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通,同時(shí)低側(cè) MOSFET 的體二極管導(dǎo)通電流時(shí),會(huì)發(fā)生反向恢復(fù),從而迫使低側(cè)二極管電流迅速過(guò)渡至高側(cè) MOSFET。在該過(guò)渡過(guò)程中,需要電流來(lái)消除會(huì)造成直接開(kāi)關(guān)損耗的低側(cè)二極管少數(shù)電荷,請(qǐng)參閱方程式 4。
減少二極管反向恢復(fù)影響的理想方法之一,是減少存儲(chǔ)電荷 (QRR) 通過(guò)優(yōu)化 MOSFET 設(shè)計(jì),或減少或消除上升沿死區(qū)時(shí)間,從而完全消除損耗的影響。