為了盡可能減少開(kāi)關(guān)損耗，必須盡可能縮短開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升和下降時(shí)間。為了防止電場(chǎng)和磁場(chǎng)輻射以及高頻諧振問(wèn)題，采用合適的元件布局來(lái)盡可能簡(jiǎn)化高頻電流路徑環(huán)路非常重要。請(qǐng)仔細(xì)按照以下特定順序來(lái)實(shí)現(xiàn)正確的布局。
- VIN 和 SYS 的高頻去耦電容器應(yīng)盡可能靠近與充電器 IC 位于同一層的各自引腳和接地引腳放置（換句話(huà)說(shuō)，沒(méi)有通孔），以獲得最小的電流返回環(huán)路。
- 將 REGN 電容器接地，并將 BTST 電容接至 SW，兩者應(yīng)盡可能靠近各自的引腳放置。
- 將電流檢測(cè)電阻器的高頻去耦電容器盡可能靠近各自的引腳放置。從檢測(cè)電阻到其 IC 的布線應(yīng)遠(yuǎn)離電源引腳（VIN、SWx、SYS）。
- 在上述步驟 1 中將電感器盡可能靠近 SW1 和 SW2 引腳放置。因?yàn)檫^(guò)孔只會(huì)給本身具有更高電感和 DCR 的電感器增加少量的電感和電阻，所以使用多個(gè)過(guò)孔來(lái)建立這些連接是可以接受的。
- 雖然此 EVM 具有連接到充電 GND 引腳的模擬接地 (AGND) 和電源接地 (PGND) 平面，但并不需要兩個(gè)電源平面/覆銅。用于設(shè)置敏感節(jié)點(diǎn)（例如，ACx、SRx、ILIM_HIZ、TS）的電阻器和電容器可以使用一個(gè)公共接地平面，但其接地端子需遠(yuǎn)離包含開(kāi)關(guān)噪聲的大電流接地回路
如需了解建議的元件放置方式以及布線和過(guò)孔位置，請(qǐng)參閱 EVM 設(shè)計(jì)。