ZHCUC43A June 2024 – April 2025
本節(jié)使用 BQ41Z50 評(píng)估模塊來重點(diǎn)介紹 IT-DZT 在動(dòng)態(tài)負(fù)載下的優(yōu)勢。電池的特性如下表所示。這些參數(shù)對(duì)于配置電量監(jiān)測計(jì)(如前面幾節(jié)中所述)至關(guān)重要。
| 電芯類型 | 鋰離子 |
|---|---|
| 設(shè)計(jì)容量 | 4680mAh |
| 充電電壓 | 4430mV |
| 端子電壓 | 3000mV |
| 設(shè)計(jì)電壓 | 3860mV |
下表顯示了該實(shí)現(xiàn)方案的 Data Memory 配置。這些參數(shù)可確保準(zhǔn)確的電量監(jiān)測和 IT-DZT 功能。
| [Gas Gauging][Current Thresholds][Dsg Current Threshold] | 100mA |
| [Gas Gauging][Current Thresholds][Chg Current Threshold] | 50mA |
| [Gas Gauging][IT Cfg][Term Voltage] | 8100mV |
| [Settings][Manufacturing][Mfg Status Init] | 18 |
| [Advanced Charge Algorithm][Termination Config][Charge Term Taper Current] | 269mA |
| [Gas Gauging][Design][Design Capacity mAh] | 4680mAh |
| [Gas Gauging][Design][Design Voltage] | 11580mV |
| [Gas Gauging][Design][Design Capacity cWh] | 5419cWh |
| [Gas Gauging][Current Thresholds][Quit Current Threshold] | 10mA |
在 [Settings][Configuration] 下,將 [Temperature Enable] 設(shè)置到右側(cè)的熱敏電阻引腳。本例中使用了 TS1 引腳,因此 [Temperature Enable] 設(shè)置為 2。BQ41Z50EVM 有 4 個(gè)熱敏電阻,必須根據(jù)實(shí)現(xiàn)方案中所用的熱敏電阻引腳進(jìn)行設(shè)置。必須禁用所有未使用的 TS 引腳。圖 5-8 顯示了啟用相應(yīng) TS 引腳時(shí)的溫度使能寄存器。
圖 5-8 溫度使能寄存器TS1 是唯一安裝在電池上并用于測量電芯溫度的熱敏電阻。禁用所有其他熱敏電阻引腳,以防止其他溫度讀數(shù)產(chǎn)生干擾。在 [Settings][Configuration][Temperature Mode] 下,將 TS1 模式位清除為 Cell Temperature 模式,并將所有其他 TSn 模式設(shè)置為 FET Temperature mode。
使用“Commands”選項(xiàng)卡,重置電量監(jiān)測計(jì)以清除 VOK 并臨時(shí)設(shè)置 RDIS。在開始一個(gè)周期之前,要確保電芯平衡,以避免放電深度 (DoD)、充電狀態(tài) (SoC) 讀數(shù)不準(zhǔn)確,甚至可能無法獲取 Qmax 更新。建議在第一個(gè)周期期間設(shè)置 RDIS,以防止電量監(jiān)測計(jì)在獲取 Qmax 更新之前更新電阻。
該實(shí)現(xiàn)方案利用 Arbin 電池測試儀,根據(jù)預(yù)定義的計(jì)劃來執(zhí)行充放電周期。此 IT-DZT 測試的自定義時(shí)間表包括充電、靜息、放電及脈沖負(fù)載,以模擬快速充電和放電序列。下面的 圖 5-9 說明了充電-靜息-放電周期。在放電例程期間,Ra 值會(huì)更新,波動(dòng)的負(fù)載有助于確定電量監(jiān)測計(jì)是否準(zhǔn)確捕獲電阻變化。通過監(jiān)測這些快速轉(zhuǎn)換,可以評(píng)估電量監(jiān)測計(jì)是否有效接收和處理了電阻更新,從而確保在任意負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的性能。
圖 5-9 電流和電壓隨時(shí)間的變化情況