4 負(fù)載配置

此 EVM 可支持不同的負(fù)載配置，從而更大程度地為用戶提供靈活性。

1. MOSFET 配置：
   1. 圖 4-1 顯示了使用兩個背對背公共源 MOSFET 的應(yīng)用。通過連接 SW1 和 SW2 端子之間的負(fù)載，用戶可以加載 EVM 與交流或直流負(fù)載。通過使用兩個背對背 FET，體二極管能夠切斷正電壓和負(fù)電壓。此外，可以通過添加 RC 緩沖器，在出現(xiàn)高電感負(fù)載時抑制開關(guān)振蕩。
      圖 4-1 交流/直流負(fù)載
   2. 圖 4-2 顯示了使用兩個并聯(lián)公共源 MOSFET 的應(yīng)用。此操作允許用戶實現(xiàn)更低的 RDSON。由于一個 MOSFET 在關(guān)閉時不能阻斷反向電流，因此此配置的建議負(fù)載為直流負(fù)載。
      圖 4-2 直流負(fù)載