ZHCU410B December 2017 – November 2022
ISO5852S 和 ISO5452 是適用于 IGBT 和 MOSFET 的隔離智能柵極驅(qū)動(dòng)器。輸入 CMOS 邏輯和輸出功率級(jí)由二氧化硅 (SiO2) 電容隔離進(jìn)行隔離。圖 2-9 所示為功能方框圖。
圖 2-9 ISO5852S/ISO5452 功能方框圖輸入側(cè)的 I/O 電路與 MCU 相連,該電路由柵極驅(qū)動(dòng)控制 (IN+|IN–) 輸入、復(fù)位 (RST) 輸入、就緒 (RDY) 警報(bào)輸出和故障 (FLT) 警報(bào)輸出組成。功率級(jí)包含功率晶體管(用于提供 2.5A 上拉電流和 5A 下拉電流來(lái)驅(qū)動(dòng)外部功率晶體管的容性負(fù)載),以及 DESAT 檢測(cè)電路(用于在短路期間監(jiān)控 IGBT 是否發(fā)生集電極-發(fā)射極過(guò)壓)。電容隔離內(nèi)核由發(fā)送電路(用于跨電容式隔離層耦合信號(hào))和接收電路(用于將產(chǎn)生的低擺幅信號(hào)轉(zhuǎn)換為 CMOS 電平)組成。ISO5852S/ISO5452 還包含欠壓鎖定 (UVLO) 電路,可用于防止對(duì)外部 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)不足。此外,它還提供有源輸出下拉功能,可確保柵極驅(qū)動(dòng)器輸出在輸出電源電壓不存在時(shí)保持低電平。ISO5852S/ISO5452 還具有有源米勒鉗位功能,可用于防止米勒效應(yīng)導(dǎo)致的以下情況發(fā)生:外部功率晶體管為進(jìn)行單極電源操作而接通寄生。